第二章半导体三极管及其基本放大电路.pptVIP

(a)漏极输出特性曲线(b)转移特性曲线图2-30(a)N沟道结型场效应三极管的特性曲线第61页，共111页，星期日，2025年，2月5日结型场效应管N沟道耗尽型P沟道耗尽型第62页，共111页，星期日，2025年，2月5日绝缘栅场效应管又称为MOS（MetalOxideSemiconductor）管。它有N沟道和P沟道两类，且每一类又分为增强型和耗尽型两种。1.N沟道增强型MOS管(1).结构和符号它是用一块杂质浓度较低的P型硅片为衬底，其上扩散两个N+区分别作为源极（S）和漏极（D），其余部分表面覆盖一层很薄的SiO2作为绝缘层，并在漏源极间的绝缘层上制造一层金属铝作为栅极（G），就形成了N沟道MOS管。因为栅极和其他电极及硅片之间是绝缘的，所以称为绝缘栅场效应管。通常将源极和衬底连在一起。符号如图2-27所示。2.7场效应晶体管及其基本放大器下一页返回上一页二、绝缘栅型场效应管第63页，共111页，星期日，2025年，2月5日绝缘栅场效应管N沟道增强型P沟道增强型图1-31绝缘栅型场效应管符号及特性曲线返回第64页，共111页，星期日，2025年，2月5日图中箭头方向表示在衬底与沟道之间由P区指向N区。2.工作原理N+型漏区和