已刻蚀的通孔.pptVIP

UV激光钻孔装置大面积加工UV激光钻孔的光束轮廓未整形的准分子激光光束是高斯及平台顶分布，不适合均匀的曝光单一装置的多重钻孔UV激光钻孔实例UV激光钻孔实例UV激光钻孔实例末端斜坡UV激光钻孔实例锁口喷嘴30um出口集成了液体储存器及通道的喷嘴UV激光钻孔实例圆柱形物件的钻孔UV激光钻孔实例直径：75+/-2um零倾斜孔0.5mm衬底准分子激光成型vs基于光刻的成型技术(a)激光烧蚀技术(b)基于光刻的技术UV激光钻孔实例UV激光钻孔实例高产率和快划线速率产生的极窄结果动因激光钻孔速度快，但串行，产生小颗粒，且对正面金属无选择性ICP刻蚀更适合大面积晶片及大导通孔密度的器件目标ICP刻蚀SiC通孔的发展刻蚀速率应超过250nm/min刻蚀轮廓应各向同性高的掩膜选择比微掩膜效应最小化Au被刻穿前刻蚀须停止以前的工作SiC晶片总厚度:～275umICP刻蚀条件：SF6：50sccmO2：10sccm压强：7mTorrICP功率：750-950mWRf功率：100-250mW温度：25℃速率：~0.65um/min严重的微掩膜沟道效应7mTorr下，沟道效应明显Au被刻穿的危险增大起因：高离子流导致孔底部的离子堆积将压强增至12mTorr可消除沟道效应ICP功率和离子能量没有作用速率同时降至250nm/min摘要动因倒装焊UV激光钻孔ICP导通孔刻蚀结论AlGaN/GaNHEMTsandMMICs功率放大器方面的发展实现晶片导通孔以使低电感接地成为可能动因倒装焊倒装焊是一种不使用焊线和引线的集成电路互联和封装的方法倒装的优点更高速的互联低功率消耗小针脚占用少的面板面积轻重量封装实现倒装的要求需要隆起焊盘支起凹处的I/O盘以实现电互联及模具与衬底的连接倒装焊Sn-Pb共晶焊焊盘形成过程PbSn焊料块的SEM图电镀后的PbSn焊料块(UBM:Ti:W/Cu)回流焊后的PbSn焊料块(间距：50um,直径25um)典型回流焊温度：250℃M-9A倒装焊机焊接精确度：±0.5um低压力（至9kg）温度：至400℃空气轴承组件精确平面度控制上下操作台的N2净化闭路温度力反馈动力化的平板光学系统隙缝光学系统明场暗场照明M-9A倒装焊机简介上样品台：基座和芯片下样品台：焊料块上样品台下样品台上升器Z向移动限制X向移动限制下操作台概览对齐-视频信号样品对齐前样品经操作杆对齐后In-Au焊接程序时间时间目前过程改进过程1、程序开始：30sec2、样品接触并加热：1min30sec2’、样品加压：200g至400g3、样品焊接：15min4、冷却：7min30sec5、充气混合MEMS可调谐滤波器倒装焊图示焊料块的喷墨沉积系统Ag/Sn焊料块：96.5%Sn/3.5%Ag金属线喷墨沉积系统互联的喷墨沉积系统铜导电体打印焊料快沉覆介电层打印焊料互联沉覆介电层器件制造喷墨系统PbSn合金性质Pb提高抗腐蚀性降低回流焊温度37:63Pb:Sn：183℃，纯Sn:232℃降低表面张力：470dyne/cm37:63:Pb:Sn,183℃550dyne/cm:纯Sn,232℃缺点：毒性PbSn合金性质共晶组分63Sn/37Pb熔点183℃电阻14.99μΩ-cm延展性28-30%毒性高世界储量210000M磅费用$3.75/磅无Pb焊料块发展纯Sn：熔点232℃共晶Sn:Cu(0.8%)：熔点227℃共晶Sn:Ag(3.5%)：熔点221℃Sn:Ag(3.5%):Cu(0.7%)：熔点218℃AgSn合金性质共晶组分96.5Sn/3.5Ag熔点221℃电阻13.3μΩ-cm延展性73%毒性低世界储量530M磅费用$8.04/磅AgSn合金性质控制Ag组分避免熔点剧烈升高～3.5%Ag=221°C～10%Ag=300°CCuSn合金性质共晶组分99.3Sn/0.7Cu熔点227℃电阻11.67μΩ-cm延展性30%毒性低世界储量750.000M磅费用$2.42/磅CuSn合金性质控制Cu组分避免熔点剧烈升高～0.7%Ag=227°C～5%Ag=