场效应管放大器P155.pptVIP

求Ri、Ro例1:场效应管放大电路如图（a）所示。已知gm=1.38ms，RG1=900K?，RG2=100K?，RG3=10M?，RS=5K?，RL=20K?，RD=20K?，且VGS=-0.2V，VDD=18V。（1）求静态值ID及VDS；（2）求电压放大倍数AV、输入电阻Ri及输出电阻RO。解：1）求静态值ID及VDS，由图（a）可得：（2）画出微变等效电路如图（b）所示。电压放大倍数为：输入电阻：输出电阻:RO=RD=20K?共漏极放大电路（源极输出器）P.180例4.4.2（3）输出电阻根据输出电阻的定义,令，保留其内阻RS，将RL开路，在输出端加一电压源，画出求RO的电路，如下图:4.5各类放大器件电路性能的比较（P.185）FET三种基本放大电路的比较（P.183表4.4.1）各类放大器件电路性能的比较（P.185表4.5.1）。5.双极型和场效应型三极管的比较双极型三极管单极型场效应管载流子多子扩散少子漂移少子漂移输入量电流输入电压输入控制电流控制电流源电压控制电流源输入电阻几十到几千欧几兆欧以上噪声较大较小静电影响不受静电影响易受静电影响制造工艺不宜大规模集成适宜大规模和超大规模集成例2：T4.5.1电路参数如图题4.5.1所示。设FET的参数为gm＝0.8mS，rd＝200kΩ；3AG29的β＝40，rbe＝1kΩ。试求放大器的电压增益AV和输入电阻Ri。解：（1）求电压增益AV画原图的小信号等效图。由图可知：IdRd＝IeRe＋Ibrbe＝Ib（1＋β）Re＋Ibrbe＝Ib［（1＋β）Re＋rbe］∴Id＝Ib［（1＋β）Re＋rbe］/RdgmVGS＝Id＋Ib＝Ib［Rd＋（1＋β）Re＋rbe］/Rd＝Ib［1＋41×0.18＋1］/1＝9.38IbIb＝gmVGS/9.38＝0.8VGS/9.38∴VO＝（gmVGS＋Ic）R＝（9.38Ib＋βIb）R＝Ib（9.38＋40）×2＝98.76Ib＝98.76×（0.8VGS/9.38）≈8.4VGSVi＝VGS＋VO＝VGS＋8.4VGS＝9.4VGSAV＝VO/Vi＝8.4VGS/9.4VGS≈0.89（2）Ri＝Rg3＋Rg1//Rg2≈Rg3＝5.1MΩ。例3：T4.5.4电路如图题4.5.4所示。设FET的互导为gm，rd很大；BJT的电流放大系数为β，输入电阻为rbe。试说明T1、T2各属什么组态，求电路的电压增益V、输入电阻Ri和输出电阻RO的表达式。解：（1）T1、T2的组态T1属共漏极（放大电路）组态，即源极输出器；T2属共射极（放大电路）组态。（2）求V、Ri、RO画出电路的小信号等效图如图（b），经整理得图（c）。Vi＝Vgs＋Ibrbe＝Vgs＋Vgsgmrbe＝Vgs（1＋gmrbe）VO＝－βIbRL/＝－βVgsgmRL/式中：RL/＝Re//RL∴AV＝VO/Vi＝－βVgsgmRL//Vgs（1＋gmrbe）＝－βgmRL//（1＋gmrbe）Ri≈RgRO≈Rc作业P.192-T4.4.4,T4.4.5。预习第五章本章小结1．FET分为JFET和MOSFET两种，工作时只有一种载流子参与导电，因此称为单极性型晶体管。FET是一种压控电流型器件，改变其栅源电压就可以改变其漏极电流。2．FET放大器的偏置电路与BJT放大器不同，主要有自偏压式和分压式两种。3．FET放大电路也有三种组态：共源、共漏和共栅。电路的动态分析需首先利用FET的交流模型建立电路的交流等效电路，然后再进行计算，求出电压放大倍数、输入电阻、输出电阻等量。5.1功率放大电路的一般问题5.2乙类互补对称功率放大电路5.3甲乙类互补对称功率放大电路甲乙类双电源互补对称电路甲乙类单电源互补对称电