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半导体外延设备反应室国产化可行性研究1

半导体外延设备反应室国产化可行性研究

摘要

半导体外延设备反应室作为半导体制造工艺中的核心部件，其国产化进程直接关

系到我国半导体产业的自主可控能力。本报告系统分析了半导体外延设备反应室的技

术特点、市场现状及国产化面临的挑战与机遇。研究表明，随着国家政策支持力度加大、

技术积累逐步完善以及市场需求持续增长，我国已具备实现半导体外延设备反应室国

产化的基本条件。报告提出了分阶段实施的技术路线图，包括材料研发、结构设计、工

艺优化和产业化推进等关键环节。通过构建产学研协同创新体系，预计在35年内可实

现中低端反应室的完全自主化，58年内突破高端反应室技术瓶颈。经济效益分析显示，

国产化后可降低设备成本30%40%，带动相关产业链产值超千亿元。报告最后提出了风

险防控措施和政策建议，为推进半导体外延设备反应室国产化提供系统性解决方案。

引言与背景

1.1半导体外延工艺的重要性

半导体外延工艺是现代集成电路制造中的关键环节，通过在单晶衬底上生长具有

特定电学特性的薄膜材料，为后续器件制造提供基础。外延层的质量直接影响半导体器

件的性能和良率，而反应室作为外延设备的核心部件，其设计精度和材料特性决定了外

延工艺的成败。随着半导体制造工艺向7纳米及以下节点推进，对外延层均匀性、缺陷

密度和界面质量的要求日益严苛，反应室技术已成为制约我国半导体产业发展的”卡脖

子”环节之一。

1.2国产化战略意义

实现半导体外延设备反应室国产化具有多重战略意义。从产业安全角度看，可打破

国外技术垄断，降低供应链风险；从经济效益角度看，可降低设备采购成本30%40%，

提升国内半导体制造企业的竞争力；从技术发展角度看，可带动相关材料、精密加工、

检测设备等产业链协同发展。根据中国半导体行业协会数据，2022年我国半导体外延

设备市场规模达280亿元，其中国产化率不足15%，国产化空间巨大。

1.3研究范围与目标

本报告聚焦于金属有机化学气相沉积(MOCVD)和分子束外延(MBE)两类主流外

延设备的反应室国产化可行性研究。研究范围涵盖反应室材料选择、结构设计、制造工

艺、性能测试及产业化路径等全链条环节。研究目标包括：明确国产化技术瓶颈与突破

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口；制定分阶段实施路线图；评估经济效益与社会效益；提出政策建议与保障措施。通

过系统研究，为政府决策和企业投资提供科学依据。

研究概述

2.1研究背景与动因

全球半导体产业竞争加剧背景下，设备自主化成为各国战略重点。美国《芯片与科

学法案》、欧盟《欧洲芯片法案》等政策均将半导体设备国产化列为优先方向。我国”十

四五”规划明确提出要实现半导体关键设备自主可控。反应室作为外延设备的”心脏”，其

国产化是实现外延设备自主化的前提条件。当前，国际主流厂商如美国应用材料、德国

艾克斯等占据全球90%以上市场份额，技术壁垒高企，国产化需求迫切。

2.2研究内容框架

本研究采用”现状分析理论构建技术路径实施保障”的逻辑框架。首先通过文献调研

和实地考察，梳理国内外反应室技术发展现状；其次基于传热学、流体力学等理论，构

建反应室设计优化模型；然后提出材料研发、结构设计、工艺验证等技术路线；最后从

政策、资金、人才等方面提出保障措施。研究特别关注高温高压环境下反应室的稳定性、

均匀性和可维护性等关键性能指标。

2.3研究方法体系

本研究采用多学科交叉的研究方法：1)技术比较分析法，对比国内外反应室技术

参数差异；2)数值模拟法，利用ANSYS等软件模拟反应室内流场和温度场分布；3)实

验验证法，搭建小型实验平台测试关键材料性能；4)经济评价法，采用成本效益分析法

评估国产化经济可行性。通过定性与定量相结合，确保研究结论的科学性和可靠性。

政策与行业环境分析

3.1国家政策支持体系

近年来，我国出台了一系列支持半导体设备国产化的政策。《国家集成电路产业发

展推进纲要》将半导体设备列为重点发展领域；《关于促进集成电路产业和软件产业高

质量发展的若干政策》提供税收优惠和研发补贴；“重大科技专项”设立专项资金支持关

键设备攻关。地方政府也纷纷出台配套政策，如上海、深圳等地对半导体设备企业