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模拟电路面试题及答案

1.请简述二极管的正向导通压降随温度变化的规律，并解释其物理机制。

答：二极管正向导通压降（Vf）随温度升高呈负温度系数特性，通常硅二极管的温度系数约为-2mV/℃。物理机制源于PN结内建电势的温度依赖性：温度升高时，本征载流子浓度ni指数增长，导致平衡时扩散电流与漂移电流相等的条件下，内建电势Vbi=(kT/q)ln(NANd/ni2)减小。正向导通时，电流方程I=Is(exp(qVf/kT)-1)，当电流恒定（如恒流源偏置），Vf需随T升高而降低以维持指数项平衡，因此表现为负温度系数。实际测量中，若二极管工作在小电流区（Is主导），温度系数绝对值略大；大电流区因体电阻压降（正温度系数）影响，整体温度系数绝对值会减小。

2.共射极放大电路中，若输入正弦信号出现顶部削平失真，可能的原因是什么？如何调整偏置电阻改善？

答：顶部削平失真属于截止失真，发生在输入信号负半周时，三极管基极电流Ib过小，导致三极管进入截止区（发射结电压低于死区电压），集电极电流Ic无法跟随输入信号变化，输出电压（Vce=Vcc-IcRc）的正半周（对应输入负半周）被削平。

调整方法：减小基极偏置电阻Rb（如分压式偏置中的上偏置电阻），增大基极静态电流Ibq，使Q点上移。例如，原电路若采用固定偏置（Vbb=IbqRb+Vbe），减小Rb会直接增大Ibq，进而增大Icq（Icq=βIbq），Vceq=Vcc-IcqRc降低，Q点向放大区中部移动，避免截止失真。需注意调整后需重新验证是否出现饱和失真（底部削平），必要时需同时调整集电极电阻Rc或电源电压Vcc。

3.比较BJT和MOSFET作为放大器件的优缺点，各列举三个关键差异。

答：

（1）控制方式：BJT是电流控制器件（Ib控制Ic），输入阻抗低（约1kΩ），需提供偏置电流；MOSFET是电压控制器件（Vgs控制Id），输入阻抗极高（≥10^9Ω），几乎无需静态输入电流。

（2）噪声特性：BJT在低频段（1/f噪声）噪声较小，适用于低噪声放大；MOSFET的1/f噪声较大（与沟道面积成反比），但热噪声与跨导相关（gm=√(2μCoxW/LId)），大尺寸MOSFET可降低热噪声。

（3）温度敏感性：BJT的β随温度升高而增大（约0.5%/℃），Vbe负温度系数（-2mV/℃），需严格设计偏置电路稳定Q点；MOSFET的阈值电压Vth负温度系数（-2mV/℃），但Id=μCox(W/(2L))(Vgs-Vth)^2，温度升高时μ下降（载流子迁移率降低），两者部分抵消，静态工作点相对稳定。

（4）集成工艺：MOSFET更易大规模集成（无二次击穿问题，隔离简单），BJT的电流驱动能力强（相同面积下β高），常用于模拟电路中的电流镜、输出级。

4.设计一个单级共源极放大电路（NMOS），要求电压增益Av≥60dB，输入电阻Ri≥10MΩ，需考虑哪些关键参数？如何优化？

答：关键参数及优化措施：

（1）跨导gm：Av≈-gm(Rd||ro)，60dB对应电压增益1000倍（20log10(1000)=60dB）。gm=√(2μnCox(W/L)Id)，需增大gm：①增大宽长比W/L（但受限于面积和寄生电容）；②增大漏极电流Id（但需考虑功耗和饱和区条件Vds≥Vgs-Vth）。

（2）输出电阻ro：ro=VA/Id（VA为厄尔利电压），增大ro需提高VA（通过增加沟道长度L，或采用长沟道工艺），或降低Id（但与gm提升矛盾，需折中）。

（3）输入电阻Ri：共源极输入电阻由栅极偏置决定，采用栅极接电阻到地或电源时，Ri=Rg（通常取10MΩ~100MΩ），需确保Rg足够大（如10MΩ）且不影响直流偏置（通过分压或自偏置）。

（4）偏置稳定性：采用分压式偏置（Rg1和Rg2分压Vdd）或自偏置（Rs+旁路电容），确保Vgs稳定。自偏置时Vgs=IdRs，需选择合适的Rs使MOS管工作在饱和区（Vgs≥Vth，Vds≥Vgs-Vth）。

（5）频率响应：增大gm会导致栅源电容Cgs增大（Cgs≈(2/3)WLCox），影响上限截止频率fH=1/(2π(Rs||Rg)Cgs)，需平衡增益与带宽。若带宽要求不高，可接受较大W/L；若需宽频带，需限制W/L并采用源极负反馈（降低增益但展宽带宽）。

5.简述运算放大器的“虚短”和“虚断”成立的条件，并举例说明不满足条件时的现象。

答：“虚短”（同相端与反相端电压近似相等，V+≈V-）和“虚断”（输入电流近似为零，I+≈I-≈0）成立的前提是运放工作在线性区（输出未饱和）且开环增益Aol极大（理想情况下Aol→∞）。

当运放进入饱和区（如输入差模电压过大，输出Vout=±Vsat），“