解析SiC MOSFET开关振荡特性及并联应用中器件筛选策略.docx

解析SiCMOSFET开关振荡特性及并联应用中器件筛选策略

一、引言

1.1研究背景与意义

随着电力电子技术的飞速发展，对功率器件的性能要求日益提高。碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）作为一种新型宽禁带半导体器件，凭借其卓越的性能优势，在众多领域得到了广泛应用。SiCMOSFET具有低导通电阻（Rds(on)），这使得其在导通状态下的功率损耗大幅降低；高开关速度能够实现更高的开关频率，减小系统中磁性元件和电容的尺寸，从而提高系统的功率密度；高导热性保证了器件在工作过程中能够更有效地散热，提高系统的可靠性；宽工作温度范围则使其适用于各种恶劣的工作环境。

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