NC-FinFET赋能6T SRAM：性能与可靠性的深度剖析与展望.docx

NC-FinFET赋能6TSRAM：性能与可靠性的深度剖析与展望

一、引言

1.1研究背景与意义

随着集成电路技术持续迅猛发展，芯片的性能与功耗已成为电子领域的核心关注点。在摩尔定律的驱动下，晶体管尺寸不断缩小，芯片集成度日益提高。然而，当晶体管尺寸进入纳米级后，传统平面晶体管遭遇了诸多挑战，如短沟道效应导致的漏电增加、功耗上升以及性能不稳定等问题。这些问题严重制约了芯片性能的进一步提升，也使得降低功耗变得愈发困难。

在这样的背景下，鳍式场效应晶体管（FinFET）应运而生，成为解决上述问题的关键技术之一。FinFET以其独特的三维鳍状结构，使栅极能够从三个方向环绕沟道，大幅增强了栅极对