IC有源元件与工艺流程11.pptVIP

*5.7.3E-NMOS工作原理图VgsVt，Vds=0V图5.15不同电压情况下E-NMOS的沟道变化*E-NMOS工作原理图VgsVt，VdsVgs-Vt图5.15不同电压情况下E-NMOS的沟道变化*E-NMOS工作原理图VgsVt，VdsVgs-Vt图5.15不同电压情况下E-NMOS的沟道变化*5.7.4NMOS

工艺流程图5.16NMOS工艺的基本流程*为了提高MESFET的性能，就需要改进有源层的导电能力。采用赝晶InGaP/InGaAs/GaAs结构，其中InGaAs由于高载流子浓度而作为沟道层，而InGaP用来增加击穿电压。由此，MESFET的截止频率可以达到fT＝90GHz和fmax=160GHz。相对简单和成熟的MESFET工艺使得光通信中高速低功率VLSI的实现成为可能。I*GaAs工艺：HEMT图5.5简单HEMT的层结构*HEMT的构思：在Ｎ型掺杂的GaAs层中，电子的漂移速度主要受限于电子与施主的碰撞。为了增加电子的漂移速度，应减小电子与施主的碰撞机会。这就是说，掺杂浓度应减小，最好是没有掺杂，这样完美的晶体结构就不受到破坏，但同时希望在结构中存在大量可高速迁移的电子。由于在晶体结构中存在着类似于气体的大量可高速迁移电子，HEMT早期也被称为二维电子气场效应管（TEGFET）。*HEMT结构（图5.5）：HEMT也属于FET，与MESFET有相似的结构，区别在于有源层。1.在半导体衬底上，一层薄（50nm~100nm)的没有掺杂的AlGaAs层覆盖在上面，形成肖特基栅极，源与漏极欧姆接触。2.由于AlGaAs（1.74eV）和GaAs（1.43eV）的禁带不同，在AlGaAs层的电子将会进入没掺杂的GaAs层，并留在AlGaAs/GaAs相结处附近，以至形成二维的电子气（2DEG）。HEMT根据AlGaAs层的厚度与掺杂浓度可分为增强型和耗尽型。相对于掺杂的MESFET层，HEMT有更强的电子移动能力。采用简单的HEMT结构，实现的室温跨导约为200mS/mm，每级逻辑门的延时约为20ps。*为了改善2DEG限制性能，人们开发了更为复杂的结构（图5.6）。GaAs工艺：HEMT工艺的三明治结构图5.6DPD-QW-HEMT的层结构*HEMT工艺的三明治结构：1.在半导体GaAs衬底上，形成一网络结构作为缓存层（选择GaAs，AlGaAs层）。2.缓存层上为HEMT的基本结构（包括200nm不掺杂AlGaAs，厚度为1.7nm的Si-δ-掺杂GaAs层）。3.5nm不掺杂的AlGaAs层作为第一层隔离，15nm不掺杂的GaAs沟道，在其中形成二维电子气。4.第二层隔离为3.3nm的AlGaAs层，厚度为仅为1.7nm的第二层Si-δ-掺杂GaAs层，3.3nm的AlGaAs层，6nm不掺杂GaAs。5.在基本HEMT结构上，形成增强型和耗尽型的垂直结构，包括第一层抗腐蚀3nm的AlGaAs层，7.5nm掺杂的GaAs层控制耗尽型HEMT的阈值电压，3nm厚的第二层GaAs作为耗尽型HEMT的抗腐蚀层，在此上源极和漏极的欧姆接触为30nm的重掺杂GaAs层。6.使用这样复杂的夹层结构，在室温下可获得1.8×1012/cm2的载流子密度和7000～8000cm2V-1s-2的电子迁移速度。*MainParametersofthe0.3mmGateLengthHEMTsHEMT-TypeParametersE-HEMTD-HEMTVth0.05V-0.7VIdsmax200mA/mm(Vgs=0.8V)180mA/mm(Vgs=0V)Gm500mS/mm400mS/mmRs0.6W·mm0.6W·mmfT45GHz40GHz表5.2:0.3?m栅长HEMT的典型参数值*HEMT的进展：由Si/GeSi材料系统研制的HEMT在300K和77K温度下，N沟道HEMT的跨导分别高达400和800ms/mm。同样，P沟道HEMT的跨导达到170和300ms/mm。由于在HEMT的有源层中，没有施主与电子的碰撞，HEMT具有更高的截止频率，更高的跨导，更低的噪声。这些优秀的性能使它不仅在毫米波电路中，而且在光纤通信的超高速电路中得到广泛应用。*与Si三极管相比，MESFET和HEMT的缺点为:跨导相对低;阈值电压较敏感于有源层的垂直尺寸形状和掺杂程度；驱动电流小由于跨导大，在整个