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ISSCC2022/SESSION11/COMPUTE-IN-MEMORYANDSRAM/OVERVIEW
Session11Overview:Compute-in-MemoryandSRAM
MEMORYSUBCOMMITTEE
SessionChair:EricKarlSessionCo-Chair:YasuhikoTaito
Intel,Hillsboro,ORRenasas,Tokyo,Japan
Compute-in-Memory(CIM)continuestodiversifytoleveragecharacteristicsofdifferentmemorytechnologiestoperformenergy-efficientcomputationsin
differentsignaldomains.ThissessioncoversCIMdesignsimplementedusingDRAM,ReRAM,MRAM,PCMandSRAMtechnologiesspanningapplications
fromhigh-performancecomputingtoedge-AIdevices.ThefirstpaperintroducesaGDDR6-basedCIMsolutionachieving1TFLOPSwithan8Gbcapacity.The
nextthreepapersintroduceadvancementsinnon-volatileCIMtargetedforlow-poweredgeapplications:featuringadvancementsdemonstratingencrypted
MACoperations,ahybridSLC/MLCschemeforimprovedcomputeaccuracy,andatime-domainMACoperation.Thefifthpaperoutlinesanultra-lowpower
SRAMmacroforedgeapplicationsachievingfW/binoff-stateleakage.Thefinalthreepapersoutlinehigh-precisiondigitalandSRAMCIMschemesreaching
upto250TOPS/W.
8:30AM
11.1A1ynm1.25V8Gb,16Gb/s/pinGDDR6-basedAccelerator-in-Memorysupporting1TFLOPSMACOperationand
VariousActivationFunctionsforDeep-LearningApplications
SeongjuLee,SKhynix,Icheon,Korea
InPaper11.1,SKHynixdescribesan1ynm,GDDR6-basedaccelerator-in-memorywithacommandsetfordeep-learningoperation.The
8Gbdesignachievesapeakthroughputof1TFLOPSwith1GHzMACoperationsandsupportsmajoractivationfunctionstoimprove
accuracy
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