ZnO、NiO薄膜及n-ZnO_P-NiO异质结结构：制备工艺与特性解析.docx

ZnO、NiO薄膜及n-ZnO/P-NiO异质结结构：制备工艺与特性解析

一、引言

1.1研究背景与意义

随着科技的飞速发展，光电器件在现代社会中的应用越来越广泛，从日常的电子设备到高端的科研仪器，都离不开光电器件的支持。在众多光电器件中，ZnO、NiO薄膜以及n-ZnO/P-NiO异质结由于其独特的物理性质和潜在的应用价值，成为了材料科学和光电器件领域的研究热点。

ZnO是一种直接宽带隙半导体材料，室温下禁带宽度为3.37eV，激子束缚能高达60meV。这一特性使得ZnO在制备短波长光电器件方面具有显著优势，例如紫外发光二极管（UV-LED）和紫外激光器等。与传统的发光材