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石墨烯/硅肖特基结光电探测器：原理、制备与性能优化研究

一、引言

1.1研究背景与意义

随着现代科技的飞速发展，光电探测器作为光通信、光计算、生物医学成像、环境监测以及军事国防等众多领域的核心元件，其性能的优劣直接影响着整个系统的功能和效率。在光通信中，高速、高灵敏度的光电探测器是实现信息快速准确传输的关键；在生物医学成像里，它有助于获取清晰的生物组织图像，为疾病诊断提供有力依据；在军事国防领域，可靠的光电探测器能够及时探测目标信号，保障国家安全。因此，对高性能光电探测器的需求呈现出迅猛增长的态势，推动着科研人员不断探索和创新。

传统的硅基光电探测器凭借其成熟的制备工艺、较低的成本以及良好的稳定性，在商业应用中占据了重要地位。然而，硅材料自身存在一些固有缺陷，例如光-物质相互作用较弱，导致其对光的吸收效率有限；载流子迁移率相对较低，限制了器件的响应速度。这些不足使得传统硅基光电探测器在面对日益增长的高性能应用需求时，显得力不从心，难以满足如高速光通信中对超高速响应和高灵敏度的严格要求，以及在微弱光信号探测场景下对低噪声和高探测率的迫切需求。

石墨烯，作为一种具有独特二维结构的新型材料，自被发现以来，便在材料科学和光电子领域引起了广泛关注。它具有诸多优异的物理性质，为解决传统光电探测器的性能瓶颈提供了新的思路和可能。石墨烯的载流子迁移率极高，可达200000cm2/(V?s)以上，这使得电子在其中能够快速传输，有望显著提高光电探测器的响应速度，实现超高速的光信号探测与处理。其透光率高达97.7%，意味着在光电器件中，能够让更多的光通过，减少光的损耗，为提高光利用效率奠定了基础。此外，石墨烯还具备宽带隙的特性，理论上可以实现对从紫外到红外宽光谱范围的光响应，极大地拓展了光电探测器的探测波段，使其能够适应更多不同波长光信号的探测需求。

当石墨烯与硅接触形成肖特基结时，这种独特的结构展现出了新奇且优异的光电性能。肖特基结的存在使得石墨烯/硅体系在光电转换过程中具有特殊的物理机制，能够实现高效、高速、高灵敏度的光电转换效果。一方面，石墨烯的高载流子迁移率和宽带隙特性，与硅的成熟工艺和良好稳定性相结合，取长补短，为制备高性能光电探测器创造了有利条件；另一方面，石墨烯/硅肖特基结光电探测器在与现有硅基互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺的兼容性方面表现出色，这意味着它能够方便地集成到现有的集成电路中，降低生产成本，提高生产效率，具有广阔的应用前景和巨大的市场潜力。

对石墨烯/硅肖特基结光电探测器的研究具有重要的理论意义和实际应用价值。从理论层面来看，深入探究石墨烯/硅肖特基结的光电转换机制、载流子输运特性以及界面相互作用等物理过程，有助于深化对新型光电器件物理原理的理解，丰富和完善光电子学的理论体系，为后续的研究提供坚实的理论基础。从实际应用角度出发，通过优化制备工艺和结构设计，制备出高性能的石墨烯/硅肖特基结光电探测器，能够为光通信、生物医学、环境监测等相关领域的应用开发提供强有力的技术支持，推动这些领域的技术进步和产业发展，为社会的发展和进步做出积极贡献。

1.2国内外研究现状

在国外，对石墨烯/硅肖特基结光电探测器的研究开展得较早且成果丰硕。剑桥大学的AndreaC.Ferrari教授团队通过对器件增加一个增强型光学谐振器，成功地增强了石墨烯/硅界面的光吸收能力，将器件的响应度从原来的5mA/W增强至240mA/W。该研究不仅提升了器件的性能，还为高响应度的近红外光谱探测的无光纤垂直照射型石墨烯/硅光电探测器的开发开辟了道路。

韩国的研究人员在石墨烯/硅肖特基结光电探测器的制备工艺优化方面取得了进展，通过改进石墨烯的转移工艺和肖特基结的形成条件，减少了界面缺陷，提高了器件的稳定性和重复性。美国的科研团队则专注于探索新型的材料复合结构，如将量子点与石墨烯/硅相结合，利用量子点的量子限域效应和石墨烯的高载流子迁移率，进一步提升了光电探测器的性能，拓展了其应用领域。

在国内，众多科研机构和高校也在积极开展相关研究，并取得了一系列重要成果。华南师范大学半导体科学技术研究院院长李京波教授联合广东工业大学郑照强副教授团队构建了In?S?/石墨烯/Si双异质结光电探测器。In?S?的引入不仅增强了石墨烯/Si的光吸收，促进了石墨烯/Si界面中电荷的高效分离，而且还带来了光电导增益。因此，该In?S?/石墨烯/Si器件可以有效探测400-1200nm的光谱范围，既具有4.53×10?A/W的超高光响应性，又具有小于33和40μs的快速上升和衰减时间，展现出了优异的综合性能。

浙江大学的研究团队提出了缺陷态可控的宏