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CoFeB/MgO/CoFeB磁性隧道结：溅射生长与微纳加工制备技术探索

一、引言

1.1研究背景与意义

随着信息技术的飞速发展，对数据存储和处理的要求日益提高，传统的基于电荷的电子学面临着能耗高、速度慢、存储密度难以进一步提升等瓶颈问题。在此背景下，自旋电子学应运而生，成为了凝聚态物理和材料科学领域的研究热点。自旋电子学利用电子的自旋属性，突破了传统电子学仅依赖电子电荷的局限，为实现高性能、低功耗的电子器件提供了新的途径。它不仅有望解决当前信息技术面临的挑战，还为开发新型存储、逻辑和传感器件开辟了广阔的前景。

在自旋电子学的众多研究方向中，磁性隧道结（MagneticTunnelJun