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半导体物理学考题试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题

1.在温度不变的情况下，增加半导体中施主杂质浓度，将导致其：

A.本征载流子浓度增加

B.导电类型由n型变为本征

C.电导率增加

D.能带宽度变宽

2.对于间接带隙半导体，下列描述正确的是：

A.电子从导带直接跃迁到价带所需能量最小

B.容易发出可见光

C.声子在其光吸收过程中起重要作用

D.其禁带宽度通常比直接带隙半导体大

3.在本征半导体中，下列哪个量等于电子浓度ni？

A.空穴浓度

B.电导率σ

C.内建电场强度

D.耗尽区宽度

4.当PN结反向偏置时，其耗尽层：

A.变窄

B.变宽

C.趋于消失

D.电势升高

5.在理想MOSFET的阈值电压Vth附近，随着栅极电压Vg的增加，其导电沟道：

A.立即完全形成

B.逐渐增强

C.保持零电流

D.立即消失

6.半导体中载流子的漂移电流密度jd与：

A.载流子浓度成正比

B.载流子迁移率成正比

C.电场强度成正比

D.以上都是

7.晶体中声子扮演的角色类似于理想气体中的：

A.电子

B.光子

C.原子核

D.中子

8.杂质能级位于导带底以下，但靠近导带底时，它主要表现为：

A.深能级受主

B.浅能级受主

C.深能级施主

D.浅能级施主

9.根据能带理论，半导体之所以能导电，关键在于其具有：

A.孤立的能级

B.连续的能带结构

C.完全填满的价带

D.空着的导带

10.PN结势垒电容Cj在外加电压变化时，主要表现为：

A.正向偏压增大时增大

B.反向偏压增大时增大

C.正向偏压减小时增大

D.反向偏压减小时增大

二、填空题

1.载流子在电场作用下定向运动所形成的电流称为_______电流。

2.半导体中，电子从满带跃迁到空带，同时产生一个空穴，这一过程称为_______。

3.对于理想PN结，其内建电压Vbi与半导体材料的禁带宽度Eg和绝对温度T的关系为Vbi≈_______/(qkT)。

4.当MOSFET的栅极电压Vg低于阈值电压Vth时，其通道处于_______状态。

5.半导体中杂质对载流子浓度的影响，可以通过_______系数来描述，它表示在单位掺杂浓度变化下，载流子浓度的变化量。

6.晶格振动以量子化形式存在的粒子称为_______。

7.能带理论认为，满带中的电子不能吸收能量跃迁到空着的、能量稍高的允许能级上，因为这将违背_______原理。

8.在稳态条件下，通过PN结任一截面的漂移电流和扩散电流的代数和应为_______。

9.描述载流子运动速度与电场强度关系的物理量是_______。

10.半导体光学性质（如吸收和发光）主要与能带结构中的_______有关。

三、简答题

1.简述掺杂对半导体载流子浓度和电导率的影响。

2.解释什么是耗尽层，并说明其宽度如何受反向偏压的影响。

3.简述BJT实现电流放大的基本原理。

四、计算题

1.已知硅的禁带宽度Eg=1.12eV，电子电荷量q=1.6×10^-19C，玻尔兹曼常数k=1.38×10^-23J/K。计算在室温(T=300K)下，硅的本征载流子浓度ni。

2.一个理想PN结，其半导体材料的禁带宽度为1.4eV，在室温(T=300K)下反向偏置，测得耗尽层宽度为2×10^-7m。假设耗尽区近似为均匀带电的平板电容，计算该PN结的内建电势Vbi。(静电力常数ε0=8.85×10^-12F/m)

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试卷答案

一、选择题

1.C

2.C

3.A

4.B

5.B

6.D

7.B

8.D

9.B

10.D

二、填空题

1.漂移

2.产生载流子对

3.qkT/πq2niN_A(或简化为qkT/qεεs，其中ε为介电常数，εs为半导体介电常数)

4.截止

5.载流子

6.声子

7.简并

8.零

9.迁移率

10.能级

三、简答题

1.解析思路：首先说明掺杂如何增加（施主）或减少（受