La_Si(111)界面特性对LaSi2薄膜外延生长及物性影响的深度剖析.docx

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2025-12-09 发布于上海
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La/Si(111)界面特性对LaSi2薄膜外延生长及物性影响的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在材料科学与半导体技术迅猛发展的当下，新型材料与薄膜技术成为推动众多领域进步的关键力量。稀土金属硅化物作为一类物性丰富的材料，涵盖了多种超导材料，因其4f电子的独特存在，极有可能展现出特殊的磁性和重费米子超导特性等。例如，CeCu?Si?便是典型的重费米子超导体，在基础物理研究里意义重大。尽管目前对稀土金属硅化物的研究多集中于块材三元稀土金属硅化物，但二元稀土金属硅化物LaSi?同样不容忽视。LaSi?具备超导电性，且相较于三元化合物，其元素组成和原子结构更为简洁。对LaSi