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《热加工工艺》2016年2月第45卷第4期

退火对TiO2薄膜的结构及电学性能的影响

罗希胡志宇

(1．上海大学材料科学与工程学院，上海200072；2．上海大学纳微能源研究所，上海200444；3．上海大学

理学院，上海200444)

擒耍：以硅为衬底，采用射频磁控溅射技术制备了TiO：薄膜，利用扫描电镜及拉曼光谱对退火前后的TiO：进行

分析。退火后的TiO：具有良好的结晶特性，且呈锐钛矿结构。在此薄膜工艺条件下，以TiO：为半导体层在玻璃基底上

制备了A1T／iO2P／t肖特基二极管，并在153~433K范围内对其进行，_测试。结果表明：在所有温度下．AIT／iO2P／t肖特

基二极管均表现出良好的整流效应；其理想因子随温度升高而降低，势垒高度随温度升高而升高；在433K下，理想因

子为1．3l，势垒高度0．73，表明此肖特基二极管已接近理想的肖特基二极管。

关键词：退火；TiO2薄膜；肖特基二极管

DOI：10．14158／j．cnki．1001-3814．2016．04．063

中图分类号：TN3l1．8文献标识码：A文章编号：1001．3814(2016)040205．04

EffectofAnnealingonStructureandElectricalPropertiesofTiO2ThinFilms

LUOXi．HUZhiyu，2j

(1．SchoolofMaterialsScienceandEngineering,ShanghaiUniversity,Shanghai200072，Chink2．InstituteofNnaoMicro

Energy,ShanghaiUniversiyt,Shnaghai200444，Chink3．DepartmentofPhysics，ShanghaiUniversiyt,Shanghai200444，China)

Abstract：TiO2thinfilmwaspreparedbyRFmagnetronsputteringtakingSiassubstrate．TiO2thinfilmsbeforeandafter

annealingprocesswereanalyzedbyscanningelectronmicroscopyfiguresandRamanspectrums．Thestructureofthefilm

afterannealingtreatmentisanatase，representinggoodcrystalstructure．A1T／iOJPtschottkydiodewasprepraedonglass

marxtakingTiO2assemi-conductorlayer．TherelatedI-V-Ttestswerecarriedoutat153-433K．Theresultsareasfollow：

A1／TiO2／Ptschottkydiodepossessesgreatrectifyingeffectunderalltemperatures．Theidealityfactorincreasesastemperature

increasing，whiletheschottkybarrierheight(SBH)decreases．WhenT=433K，hteidealityfactoris1-31andSBHis0．73，which

indicateshtatthisschottkydiodeisclosedtoanidealschottkydiode．

Keywords：nanealing；TiO2minfilm；schottkydiode；RF(radiofrequency)magnetronsputteringtechnoloyg

金属半导体接触形成的肖特基结具有类P—n半导体中的载流子输运过程则由量子隧穿主导。

结的整流特性，因起低功耗、大电流和超高速的特