第3章 场效应管及其放大电路.ppt

下一页3.2.3场效应管的主要参数及几种MOS场效应管特性比较1直流参数饱和漏极电流、夹断电压、开启电压、直流输人电阻2交流参数低频跨导、极间电容3极限参数（1）漏极最大允许耗散功率（2）漏源击穿电压（3）栅源击穿电压各种场效应管的符号和特性曲线如表3.1.1所示。上一页第30页，共57页，星期日，2025年，2月5日下一页3.3场效应管放大电路分析3.3.1场效应管的直流偏置电路及静态分析3.3.2微变等效电路法3.3.3共漏级放大电路上一页第31页，共57页，星期日，2025年，2月5日下一页3.3.1场效应管的直流偏置电路及静态分析1自偏压电路在源极接入源极电阻，就可组成如图3.14所示的自偏压电路。图3.14自给偏压电路上一页第32页，共57页，星期日，2025年，2月5日下一页3.3.1场效应管的直流偏置电路及静态分析a、图解法：图3.15求自给偏压电路Q点的图解上一页第33页，共57页，星期日，2025年，2月5日下一页3.3.1场效应管的直流偏置电路及静态分析首先，在静态时有关系式说明与成线性关系，可以用一条直线表示，如图3.15所示，同时，与之间又必须符合转移特性曲线的规律，因此二者的交点即是静态工作点Q，如图3.15所示。根据转移特性曲线上Q点的位置可求得静态时的和。由输出回路的电压电流方程,即直流负载方程在漏极特性曲线上可得直流负载曲线，直流负载线与的一条漏极特性的交点确定了漏极特性上Q点的位置，由此可得静态时的和，如图3.15所示。上一页第34页，共57页，星期日，2025年，2月5日下一页3.3.1场效应管的直流偏置电路及静态分析b、计算法(3.3.1)解以上两个联立方程，即可得到和，然后根据得到。举例：如例1上一页第35页，共57页，星期日，2025年，2月5日图3.16图解法确定工作点(例1)第36页，共57页，星期日，2025年，2月5日第37页，共57页，星期日，2025年，2月5日下一页3.3.1场效应管的直流偏置电路及静态分析2分压-自偏压式共源放大电路分压式偏置电路如图3.17所示。该电路适合于增强型和耗尽型MOS管和结型场效应管。为了不使分压电阻、对放大电路的输入电阻影响太大,故通过与栅极相连。该电路栅、源电压为（3.3.2）利用图解法求Q点时,此方程的直线不通过与坐标系的原点,而是通过=0,点,其它过程与自偏电路相同。上一页第38页，共57页，星期日，2025年，2月5日下一页3.3.1场效应管的直流偏置电路及静态分析利用计算法求解时,需联立解下面方程组图3.17分压式偏置电路上一页第39页，共57页，星期日，2025年，2月5日下一页3.3.2微变等效电路法小信号等效模型也称为微变等效模型。从场效应管的输出特性和转移特性表明，当场效应管工作在低频小信号条件下时，电流和电压的动态范围没有超出特性曲线的动态范围，因此，FET小信号放大电路也可以用等效电路进行分析。FET的输出特性可知，漏极电流与漏源电压和栅源电压的关系为(3.3.3)由此式求的全微分，可得（3.3.4）上式中定义（3.3.5）上一页第40页，共57页，星期日，2025年，2月5日第1页，共57页，星期日，2025年，2月5日教学目标了解场效应管器件基础知识，掌握结型场效应管的结构、特性和主要参数，掌握绝缘栅型场效应管的结构、特性和主要参数，理解场效应管放大电路静态分析和小信号模型分析法第2页，共57页，星期日，2025年，2月5日下一页3.1结型场效应管3.1.1结型场效应管的结构及工作原理3.1.2结型场效应管的特性上一页第3页，共57页，星期日，2025年，2月5日下一页3.1.1结型场效应管的结构及工作原理1结型场效应管的结构如图3.1(a)所示，在一块N型半导体材料的两边各扩散一个高杂质浓度的P+区,就形成两个不对称的P+N结，即耗尽层。把两个P+区并联在一起，引出一个