模拟集成电路频率特性.pptVIP

第1页，共38页，星期日，2025年，2月5日概述在单级放大器的低频特性分析中，忽略了器件的负载电容。记入寄生电容后的分析结果复杂、不直观。可采用一些简化电路结构的方法。密勒效应：将二端点X、Y之间的阻抗等效成二端点分别对地的阻抗。流过Z的电流是则，有同样的电流流过Z1：第2页，共38页，星期日，2025年，2月5日概述同样的，流过Z2的电流为：密勒定理没有指出怎样的电路可以等效。因此，并不是所以电路都能用密勒定理等效。例：X和Y间只有一个通路的电路是不能等效的。在阻抗Z和主通路并联的通常情况下，密勒定理是有效的。如图，可以将输入和输出间的阻抗等效到输入和输出端进行处理。第3页，共38页，星期日，2025年，2月5日概述密勒效应：如果用密勒定理来获得输入－输出传递函数，则，不能用该定理来计算输出阻抗。因为，求传递函数时，求输出阻抗时，，外加二种情况下，得到的可能是不同的。Av和频率有关。在一般的应用中，用低频时的增益近似。第4页，共38页，星期日，2025年，2月5日概述极点和结点的关联：利用密勒定理，可以将每一结点的阻抗看成结点到地的总电容和总电阻。A1、A2是理想的，R1、R2是输出电阻，Cin、CN是输入电容，Cp是负载电容。是一种近似方法，没有考虑零点。第5页，共38页，星期日，2025年，2月5日概述将放大器和输出结点一起考虑：R、C电路跨导放大器和输出负载主极点近似带宽单位增益带宽第6页，共38页，星期日，2025年，2月5日共源级电路结构：CGS和CDB是接地电容。饱和时，CGD在栅极的密勒等效项：CGD使输入电容增加，带宽下降。第7页，共38页，星期日，2025年，2月5日共源级CGD在漏极的密勒等效项：近似公式是一个双极点的函数，希望是只有一个主极点。近似公式中没有考虑零点。低频增益近似。第8页，共38页，星期日，2025年，2月5日共源级等效电路：~对X点：对Vout点：由上面二方程可得：第9页，共38页，星期日，2025年，2月5日共源级有二个极点，一个零点。是复杂的公式，其中对分母作适当处理：假定：第10页，共38页，星期日，2025年，2月5日共源级低频时，跨导还没有下降，可忽略令:则当频率上升时，可考虑第二个极点。若很大，第11页，共38页，星期日，2025年，2月5日共源级结论：当输入RC很大时，输入极点是主极点，结果和近似公式相同。零点：直观上，CGD提供了一条从输入到输出的前馈通道。高频时：流过M1和CGD的电流方向相同，大小相反。直观上，左图是共源级的频率相应曲线。第12页，共38页，星期日，2025年，2月5日共源级另一种近似方法：~忽略输入结点引入的极点（Rs=0），只考虑输出极点，则是单级点函数。输入电容是前级的负载电容。第13页，共38页，星期日，2025年，2月5日共源级若CL是在输出结点上看到的总电容。带宽同样可得零点单位增益带宽第14页，共38页，星期日，2025年，2月5日共源级将结果推广到MOS负载：带宽：结论：第15页，共38页，星期日，2025年，2月5日共源级输入阻抗：不再是无限大。输入阻抗：不再是无限大。输入阻抗是一个电容。高频时，如图第16页，共38页，星期日，2025年，2月5日共源级低频时，s很小，若CGD很大，则零点不能忽略。前馈通路近似为短路第17页，共38页，星期日，2025年，2月5日源跟随器源跟随器作为输出级（缓冲、电平移位）时，负载一般是电容。输入可能是高增益级的输出阻抗，但可以和输入电容一起看作前级的输出极点。X和Y之间的CGS使二极点的相互作用很大，二极点难以和结点对应。因为：Rs和CGS的值都很大，造成overshoot和ringing。假定Rs=0，则忽略一个极点，频率特性是一个单极点函数。第18页，共38页，星期日，2025年，2月5日源跟随器小信号分析：~一个极点：一个零点：在左半平面。高频时，通过CGS的直馈通路和通过M1的信号极性