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光刻工复习题及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（请将正确选项的字母填在括号内）

1.光刻技术中，限制分辨率的基本物理极限主要与哪个因素有关？（）

A.光刻胶的感光速度

B.照射光的波长

C.工件台的稳定性

D.掩模版的清洁度

2.在KrF（248nm）和ArF（193nm）光刻技术中，哪种波长技术的理论分辨率更高？（）

A.KrF

B.ArF

C.两者相同

D.取决于具体设备

3.以下哪种光刻胶属于正性光刻胶？（）

A.SU-8

B.MA-6

C.KPR

D.AZ-5214

4.光刻过程中，曝光剂量不足最可能导致哪种结果？（）

A.图形变粗

B.图形变细

C.产生空白图形

D.图形填充不均

5.掩模版在光刻过程中的主要作用是？（）

A.支撑晶圆

B.产生并传递曝光光图案

C.提供化学品

D.调节温度

6.光刻工艺流程中，通常在曝光之前进行的“软烘”主要目的是？（）

A.增加光刻胶粘附性

B.预热光刻胶，去除溶剂

C.固化光刻胶

D.消除静电

7.对于接触式光刻机，下列哪项不是其主要缺点？（）

A.分辨率相对较低

B.对晶圆清洁度要求极高

C.设备成本较低

D.易产生阴影效应

8.光刻胶的“分辨率”通常指的是？（）

A.能分辨的最小线宽

B.涂胶的均匀厚度

C.曝光能量的单位

D.工件台移动的速度

9.光刻过程中，显影不均可能由以下哪个因素引起？（）

A.曝光剂量不均匀

B.显影液温度过高

C.晶圆旋转速度不当

D.以上都是

10.EUV光刻技术使用的主要光源波长是多少？（）

A.248nm

B.193nm

C.13.5nm

D.365nm

11.光刻机中的投影透镜通常使用什么材料制造以实现高透光率？（）

A.玻璃

B.金属

C.晶体

D.塑料

12.光刻工在操作过程中需要佩戴护目镜，主要是为了防止什么？（）

A.化学品溅射

B.紫外线或激光伤害

C.粉尘吸入

D.温度过高

13.在光刻工艺中，对准标记（AlignmentMarks）的主要作用是？（）

A.美观装饰

B.标识设备型号

C.确保相邻层图形的精确套准

D.方便涂胶

14.影响光刻胶涂胶厚度均匀性的主要因素包括？（）

A.涂胶机的类型和参数设置

B.晶圆的放置方式

C.环境湿度和温度

D.以上都是

15.光刻过程中产生的颗粒污染，通常会对图形质量产生什么影响？（）

A.导致图形边缘不规则

B.引起曝光缺陷

C.使图形尺寸增大

D.以上都可能

二、判断题（请将“正确”或“错误”填在括号内）

1.光刻分辨率与照射光的波长成反比，波长越短，分辨率越高。（）

2.正性光刻胶在曝光区域发生交联，显影时交联部分被溶解去除，未曝光部分保留。（）

3.ArF浸没式光刻技术相比干式ArF光刻，可以进一步提高分辨率。（）

4.光刻机的真空环境主要是为了防止空气流动影响光刻胶涂覆均匀性。（）

5.光刻胶在显影后，未曝光区域和曝光区域都应该是完全透明的。（）

6.掩模版上的划痕或灰尘会直接投影到晶圆上，形成图形缺陷。（）

7.光刻工艺中的所有步骤都必须在严格的恒温恒湿环境中进行。（）

8.曝光剂量过大通常会导致光刻胶过度曝光，图形边缘变锐利。（）

9.光刻机的振镜（Scanner振镜）主要用于扫描式光刻机，其精度直接影响图形的套刻精度。（）

10.光刻工在完成化学品操作后，应先洗手，再佩戴个人防护装备。（）

三、填空题（请将答案填在横线上）

1.光刻是半导体制造中的核心工艺之一，其主要功能是将掩模版上的______精确地复制到光刻胶上，再通过后续工艺转移到基板材料上。

2.影响光刻分辨率的主要因素包括光的______、光刻胶的______、工艺系统的______等。

3.KrF准分子激光器的波长为______纳米，ArF准分子激光器的波