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(2025年)模电题库及答案

一、半导体器件基础

1.电路如图1所示（假设图中VDD=12V，R1=3kΩ，R2=6kΩ，D1为硅二极管，正向导通压降0.7V，D2为锗二极管，正向导通压降0.3V），试判断D1、D2的工作状态（导通或截止），并计算输出电压UO。

答案：

D1阳极电位：(R2/(R1+R2))×VDD=(6/(3+6))×12=8V

D2阳极电位：VDD=12V（直接接电源正极）

D1阴极电位：0V（接地），D2阴极电位：UO（输出端）

若假设D1导通，则UO=0.7V（硅管导通压降），此时D2阳极电位12V，阴极电位0.7V，正向偏置（12V0.7V），D2也导通。但D2为锗管，导通压降0.3V，若D2导通，则UO=12V-0.3V=11.7V，与D1导通时UO=0.7V矛盾，说明假设错误。

重新假设D2导通，则UO=12V-0.3V=11.7V，此时D1阳极电位8V，阴极电位11.7V，反向偏置（8V11.7V），D1截止，符合条件。因此D1截止，D2导通，UO=11.7V。

2.某NPN型三极管的输出特性曲线中，当IB=40μA时，IC=2mA；IB=60μA时，IC=3.5mA（均处于放大区）。求该三极管的交流电流放大系数β和静态电流放大系数α（假设IE≈IC）。

答案：

β=ΔIC/ΔIB=(3.5mA-2mA)/(60μA-40μA)=1.5mA/20μA=75

α=β/(β+1)=75/76≈0.9868

二、基本放大电路分析

3.共射极放大电路如图2所示（VCC=15V，Rb=300kΩ，Rc=3kΩ，Re=1kΩ，Ce为旁路电容，三极管β=100，rbe=1.5kΩ）。求：（1）静态工作点Q（IBQ、ICQ、UCEQ）；（2）电压放大倍数Au、输入电阻Ri、输出电阻Ro。

答案：

（1）静态分析（忽略UBE=0.7V）：

IBQ=(VCC-UBE)/(Rb+(1+β)Re)≈(15-0.7)/(300kΩ+101×1kΩ)=14.3V/401kΩ≈35.66μA

ICQ=βIBQ=100×35.66μA≈3.566mA

UCEQ=VCC-ICQ(Rc+Re)=15V-3.566mA×(3kΩ+1kΩ)=15V-14.264V≈0.736V（接近饱和，需检查是否合理，若实际电路中Re无旁路电容，UCEQ会更大，此处假设Ce旁路Re，故静态时Re被短路，正确公式应为UCEQ=VCC-ICQ(Rc+Re)，计算无误）

（2）动态分析：

Au=-β(Rc∥RL)/rbe（假设RL=∞，则Au=-βRc/rbe=-100×3kΩ/1.5kΩ=-200

输入电阻Ri=Rb∥rbe≈300kΩ∥1.5kΩ≈1.5kΩ（因Rb远大于rbe）

输出电阻Ro=Rc=3kΩ

4.共集电极放大电路（射极跟随器）的主要特点是：电压放大倍数约为______，输入电阻______，输出电阻______（填“大”“小”或“≈1”）。

答案：≈1；大；小

三、集成运算放大器应用

5.反相比例运算电路中，输入电阻R1=10kΩ，反馈电阻Rf=100kΩ，运放为理想器件。求：（1）电压放大倍数Auf；（2）若输入电压ui=0.5V，求输出电压uo；（3）平衡电阻Rp的取值。

答案：

（1）Auf=-Rf/R1=-100kΩ/10kΩ=-10

（2）uo=Auf×ui=-10×0.5V=-5V

（3）Rp=R1∥Rf=10kΩ∥100kΩ≈9.09kΩ（平衡输入偏置电流）

6.设计一个积分运算电路，要求输入电压ui=2V时，输出电压uo在0.1秒内从0线性下降到-4V。已知积分电容C=1μF，求反馈电阻R的取值。

答案：

积分电路输出表达式：uo=-(1/(RC))∫uidt

当ui为常数时，uo=-(ui/(RC))t

代入已知：-4V=-(2V/(R×1μF))×0.1s

化简得：4=(2×0.1)/(R×1e-6)→R=(2×0.1)/(4×1e-6)=50kΩ

四、反馈放大电路

7.判断图3所示电路的反馈类型（正/负反馈，电压/电流反馈，串联/并联反馈）。

答案：

反馈网络：通过Rf将输出电压引回输入级发射极。

（1）瞬时极性法：输入ui↑→T1基极电位↑→T1集电极电位↓（共射反相）→T2基极电位↓→T2集电极电位↑（共射反相）→输出uo↑。反馈信号uf=uo×(Re1/(Re1+Rf))（分压），引至T1发射极，使T1发射极电位↑，净输入电压ube=ub-ue↓，故为负反馈。

（2）输出端：反馈信号与输出电压成比例（分压），为电压反