(2025年)模电考试题及答案.docxVIP

(2025年)模电考试题及答案

一、单项选择题（每小题3分，共15分）

1.某碳化硅（SiC）二极管在25℃时的正向导通电压为3.2V，当温度升高至150℃时，其正向导通电压最可能变为（）

A.3.5VB.3.2VC.2.9VD.4.0V

2.某NPN型三极管在放大电路中测得三个电极电位分别为：Vb=2.1V，Vc=5V，Ve=1.4V，则该三极管工作在（）

A.截止区B.饱和区C.放大区D.击穿区

3.共源极场效应管放大电路中，若源极旁路电容开路，会导致（）

A.电压放大倍数增大B.输入电阻减小

C.输出电阻增大D.电压放大倍数减小

4.集成运放构成的同相比例运算电路中，若反馈电阻Rf虚焊（开路），则输出电压会（）

A.等于输入电压B.饱和接近正电源电压

C.等于0VD.饱和接近负电源电压

5.设计一个中心频率为1kHz、Q值为10的二阶压控电压源带通滤波器，若采用RC=0.159ms的标准时间常数，则R1=R2=R时，C1=C2的取值应为（）

A.0.1μFB.0.22μFC.0.33μFD.0.47μF

二、填空题（每空2分，共20分）

1.某硅二极管在正向电流为1mA时的正向电压为0.7V，根据二极管方程（取n=1，VT=26mV），当正向电流增大至10mA时，其正向电压约为______V（保留两位小数）。

2.某共射极放大电路中，三极管β=100，rbe=1.2kΩ，集电极电阻Rc=3kΩ，负载电阻RL=6kΩ，则其电压放大倍数Av=______（取绝对值）。

3.差分放大电路中，若两个输入信号分别为vi1=5mV，vi2=3mV，则差模输入信号vid=______mV，共模输入信号vic=______mV。

4.乙类互补对称功率放大电路中，若电源电压VCC=15V，负载电阻RL=8Ω，则最大输出功率Pom=______W（保留一位小数），此时管耗PT1=______W（单管）。

5.某集成运放的开环差模增益Aud=10^5，输入失调电压VIO=2mV，输入失调电流IIO=100nA。当运放接成电压跟随器时，输出误差电压约为______mV（仅考虑VIO和IIO的影响，假设外部电阻均为0）。

三、分析计算题（共45分）

1.（12分）图1所示为分压式偏置共射极放大电路，已知三极管β=80，VBEQ=0.7V，rbb=200Ω，C1、C2、Ce为大容量电容，对交流信号可视为短路。

（1）计算静态工作点Q（IBQ、ICQ、VCEQ）；

（2）画出微变等效电路；

（3）计算电压放大倍数Av、输入电阻Ri、输出电阻Ro。

（图1参数：VCC=12V，Rb1=33kΩ，Rb2=10kΩ，Re=1.5kΩ，Rc=3kΩ，RL=6kΩ）

2.（13分）图2所示为双端输入-单端输出差分放大电路，T1、T2特性对称，β=100，VBEQ=0.7V，rbe=1.5kΩ，电流源I=1mA，Rc=10kΩ，RL=10kΩ。

（1）计算差模电压放大倍数Aud；

（2）计算共模电压放大倍数Auc；

（3）若输入信号vi1=100mV，vi2=80mV，求输出电压vo；

（4）说明电流源I对电路性能的影响。

3.（10分）图3所示为集成运放构成的运算电路，已知R1=10kΩ，R2=20kΩ，R3=30kΩ，Rf=60kΩ，C=1μF，运放为理想器件。

（1）判断A1、A2各自构成的运算电路类型；

（2）推导vo1与vi的关系式；

（3）推导vo与vo1的关系式；

（4）若vi=0.5sin(2000πt)V，求vo的表达式。

4.（10分）图4所示为串联型直流稳压电路，T1为调整管，T2为比较放大管，R1=2kΩ，R2=1kΩ，R3=1kΩ，稳压管Vz=6V，VBE2=0.7V，输入电压VI=20V。

（1）说明电路中采样网络、基准电压、比较放大环节的组成；

（2）计算输出电压VO的调节范围；

（3）若R1开路，分析输出电压的变化趋势。

四、设计题（共20分）

设计一个两级阻容耦合放大电路，要求：

（1）输入电阻Ri≥100kΩ；

（2）输出电阻Ro≤100Ω；

（3）电压放大倍数|Av|≥500；

（4）信号源内阻Rs=10kΩ，负载电阻RL=8Ω。

（要求：

①画出电路原理图（标注各元件符号）；

②说明每一级电路的类型及作用；

③简要计算关键元件参数（如三极管β取100，rbe=1kΩ时的电阻值）。）

答案

一、单项选择题

1.