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2025年西安电阻测试试题及答案

一、单项选择题（每题2分，共20分）

1.某金属导体在0℃时的电阻为10Ω，其温度系数为0.004/℃，当温度升至50℃时，该导体的电阻约为（）。

A.11ΩB.12ΩC.13ΩD.14Ω

2.以下关于电阻率的描述中，错误的是（）。

A.电阻率是材料的固有属性，与几何尺寸无关

B.纯金属的电阻率随温度升高而增大

C.半导体的电阻率随温度升高而显著减小

D.绝缘体的电阻率通常小于10?Ω·m

3.用伏安法测量未知电阻时，若电流表内阻为R_A，电压表内阻为R_V，当被测电阻R_x远大于R_A时，应选择（）接法以减小误差。

A.电流表内接B.电流表外接C.两种接法误差相同D.无法判断

4.色环电阻标注为“棕黑红金”，其标称阻值和允许误差分别为（）。

A.100Ω±5%B.1kΩ±5%C.10kΩ±5%D.100kΩ±5%

5.惠斯通电桥平衡时，四个桥臂电阻满足的条件是（）。

A.R?/R?=R?/R?B.R?+R?=R?+R?C.R?×R?=R?×R?D.R?-R?=R?-R?

6.四探针法测量半导体材料电阻率时，探针间距为s，当样品厚度远大于s时，电阻率计算公式为（）。（I为测试电流，V为电压）

A.ρ=2πsV/IB.ρ=πsV/IC.ρ=4πsV/ID.ρ=8πsV/I

7.某电阻器标注“5W100Ω”，其额定工作电流最大为（）。

A.0.22AB.0.32AC.0.42AD.0.52A

8.以下哪种情况会导致电阻测量结果偏大？（）

A.伏安法外接时，电压表分流不可忽略

B.电桥测量时，电源电压不稳定

C.四探针法测试时，探针与样品接触不良

D.温度高于标定温度时测量金属电阻

9.两个电阻R?=10Ω、R?=30Ω并联后，再与R?=20Ω串联，总电阻为（）。

A.25ΩB.30ΩC.35ΩD.40Ω

10.某碳膜电阻的温度系数为-0.0005/℃，20℃时阻值为1kΩ，当温度降至0℃时，其阻值约为（）。

A.990ΩB.1000ΩC.1010ΩD.1020Ω

二、填空题（每空2分，共20分）

1.电阻的基本单位是______，电阻率的单位是______。

2.金属电阻随温度升高而增大的主要原因是______。

3.伏安法测量中，电流表内接适用于测量______（填“大”或“小”）电阻，此时测量值______（填“大于”或“小于”）真实值。

4.色环电阻“橙白棕银”的阻值为______，允许误差为______。

5.四探针法测量时，若样品厚度t小于探针间距s的1/10，则需引入______修正系数。

6.惠斯通电桥的灵敏度定义为______变化引起的检流计偏转格数。

三、简答题（每题8分，共40分）

1.简述伏安法测电阻时，电流表内接和外接法的误差来源及适用条件。

2.说明四探针法测量半导体电阻率的原理，为何该方法适用于薄样品？

3.温度对金属电阻和半导体电阻的影响机理有何不同？举例说明典型材料。

4.如何利用万用表判断电阻器的好坏？需注意哪些操作规范？

5.分析电桥法测电阻时，检流计灵敏度不足对测量结果的影响。

四、计算题（每题10分，共40分）

1.有三个电阻R?=20Ω、R?=30Ω、R?=60Ω，先将R?与R?并联，再与R?串联，求总电阻及电路总电流（电源电压为30V）。

2.用惠斯通电桥测量未知电阻R_x，已知R?=100Ω、R?=200Ω、R?=150Ω，电桥平衡时求R_x。若R?的实际值为102Ω（标称值误差+2Ω），计算R_x的测量误差。

3.某铜导线在20℃时的电阻率为1.75×10??Ω·m，长度为100m，截面积为0.5mm2，求其电阻。若温度升至80℃（铜的温度系数为0.0039/℃），求此时的电阻值。

4.用伏安法外接法测量R_x，电流表读数I=0.5A，电压表读数V=10V，已知电流表内阻R_A=0.1Ω，电压表内阻R_V=10kΩ，求R_x的真实值及测量相对误差。

答案

一、单项选择题

1.B（R=R?(1+αt)=10×(1+0.004×50)=12Ω）

2.D（绝缘体电阻率通常大于10?Ω·m）

3.A（R_x远大于R_A时，内接法电流表分压可忽略）

4.B（棕1、黑0、红×100，金±5%，即10×100=100