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2025年半导体制造光刻胶材料检测技术标准考核题及答案

一、单项选择题（每题2分，共20分）

1.针对2nm节点半导体制造用极紫外（EUV）光刻胶，其关键性能参数“灵敏度”的标准定义为：

A.使光刻胶发生光化学反应所需的最小曝光能量（mJ/cm2）

B.曝光后光刻胶溶解速率与未曝光区域的比值

C.光刻胶在显影后能分辨的最小特征尺寸

D.光刻胶在高温工艺中保持结构稳定的温度阈值

答案：A

解析：EUV光刻胶灵敏度特指引发光化学反应的最小曝光能量，直接影响生产效率和成本；B为对比度，C为分辨率，D为热稳定性。

2.采用扫描电子显微镜（CD-SEM）检测光刻胶显影后线宽（CD）时，标准要求的测量重复性误差应不超过：

A.0.5nm

B.1.0nm

C.1.5nm

D.2.0nm

答案：A

解析：2025年2nm制程要求CD控制精度≤1nm，CD-SEM作为关键检测设备，其重复性误差需≤0.5nm以满足统计过程控制（SPC）需求。

3.光刻胶金属杂质检测中，针对铜（Cu）元素的标准限值为：

A.≤10ppt（万亿分之一）

B.≤50ppt

C.≤100ppt

D.≤500ppt

答案：B

解析：2nm节点晶体管栅极间距小于10nm，Cu杂质扩散会导致漏电流异常，行业标准（SEMIP37-0325）规定Cu≤50ppt，其他碱金属（Na、K）≤10ppt。

4.光刻胶表面张力的标准检测温度为：

A.20±1℃

B.23±1℃

C.25±1℃

D.27±1℃

答案：B

解析：光刻胶涂覆工艺通常在23℃环境中进行（SEMIM1-0325），表面张力检测需与工艺环境温度一致，避免温度偏差导致涂覆均匀性误差。

5.评价光刻胶抗干法刻蚀性能的标准测试方法是：

A.等离子体刻蚀后测量厚度损失率

B.湿法显影后测量线宽收缩率

C.高温烘烤后测量质量损失率

D.紫外曝光后测量透射率变化

答案：A

解析：干法刻蚀（如ICP刻蚀）是半导体制造核心步骤，抗刻蚀性通过刻蚀前后厚度差计算损失率（SEMIP45-0625），损失率≤15%为合格。

6.EUV光刻胶的“酸扩散长度”标准范围应为：

A.1-3nm

B.5-8nm

C.10-15nm

D.20-30nm

答案：A

解析：EUV光刻胶依赖化学放大机制，酸扩散长度过大会导致分辨率下降（线宽模糊），2nm节点要求酸扩散严格控制在1-3nm（JSREUV胶技术白皮书2024）。

7.光刻胶存储稳定性测试中，标准要求在4℃条件下存放6个月后，其粘度变化应不超过：

A.±2%

B.±5%

C.±10%

D.±15%

答案：B

解析：粘度变化超过5%会导致旋涂厚度均匀性下降（3σ≥1%），影响光刻图形精度（SEMIP22-0925存储标准）。

8.光刻胶光学常数（n、k值）检测的标准波长对应EUV光刻为：

A.193nm

B.248nm

C.13.5nm

D.365nm

答案：C

解析：EUV光刻波长为13.5nm，其光学常数直接影响曝光时的光强分布和驻波效应，需通过X射线反射仪（XRR）在13.5nm下测量。

9.光刻胶显影后缺陷检测的标准设备是：

A.原子力显微镜（AFM）

B.明场光学缺陷检测机（AOI）

C.透射电子显微镜（TEM）

D.激光散射颗粒计数器

答案：B

解析：AOI设备可在wafer级快速检测显影后缺陷（如桥接、断线），检测灵敏度≤30nm（KLATeraScan2025型标准），AFM和TEM用于离线分析，颗粒计数器检测胶液杂质。

10.光刻胶与基底（如SiO?）的接触角标准范围应为：

A.20°-40°

B.50°-70°

C.80°-100°

D.110°-130°

答案：B

解析：接触角50°-70°时，光刻胶在基底上的铺展性与抗边缘收缩性能最佳，可保证涂覆厚度均匀性（3σ≤0.5%）（东京应化技术文档2024）。

二、填空题（每空2分，共20分）

1.光刻胶分辨率的定义是________，2nm节点要求分辨率需≤________nm。

答案：显影后能分辨的最小特征尺寸；10

2.光刻胶厚度均匀性的标准要求为：整片晶圆（300mm）内厚度偏差≤________%，边缘3mm区域偏差≤________%。

答案：0.5；1.0

3.光刻胶金属杂质检测常用方法为_____