突破与创新：AlGaN_GaN微波功率HEMT新结构新工艺探索.docxVIP

突破与创新：AlGaN/GaN微波功率HEMT新结构新工艺探索

一、引言

1.1研究背景与意义

随着信息技术的迅猛发展，现代通信、雷达、电子战等领域对高功率、高频率的微波器件需求日益增长。在过去的几十年中，半导体技术的不断进步推动了微波器件性能的提升，但传统的硅基半导体材料在面对高频、高功率应用时，逐渐暴露出其局限性，如电子迁移率低、击穿电场强度有限等问题，难以满足日益增长的技术需求。

宽禁带半导体材料，如氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）等，因其具有宽禁带宽度、高电子迁移率、高击穿电场强度等优异特性，成为了新一代微波器件的研究热点。其中，AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）凭借其在微波领域的卓越性能，受到了广泛关注。AlGaN/GaNHEMT利用AlGaN和GaN之间的异质结，在界面处形成了高浓度的二维电子气（2DEG），这些二维电子气具有极高的迁移率，使得器件能够在高频下实现高功率输出，展现出比传统半导体器件更优越的性能，在5G通信基站、卫星通信、雷达系统等领域具有广阔的应用前景。

然而，当前的AlGaN/GaNHEMT器件仍面临着一些挑战，如电流崩塌效应、栅极漏电、热稳定性差等问题，这些问题限制了器件的性能进一步提升和广泛应用。因此，研究AlGaN/GaNHEMT的新结构和新工艺具有重要的现实意义。通过设计新的器件结构，可以优化器件的电场分布，减少电流崩塌效应，提高栅极的可靠性；研究新的工艺方法，则有助于改善材料的质量，降低界面缺陷，提高器件的热稳定性和一致性。这不仅能够解决传统AlGaN/GaNHEMT器件存在的问题，还将推动微波技术的发展，满足未来通信、雷达等领域对高性能微波器件的需求，对于提升国家在相关领域的技术水平和竞争力具有重要的战略意义。

1.2国内外研究现状

在国际上，对于AlGaN/GaNHEMT新结构新工艺的研究已经取得了一系列重要成果。例如，一些研究团队通过在AlGaN/GaN异质结中引入插入层，如AlN插入层，有效地改善了二维电子气的特性，提高了电子迁移率和浓度，进而提升了器件的性能。在栅极结构方面，采用复合栅极结构，如p-GaN栅极与金属栅极相结合的方式，能够有效增加阈值电压、降低栅极漏电流，提高栅极击穿电压，增强了器件的可靠性。在工艺研究上，分子束外延（MBE）和金属有机化学气相沉积（MOCVD）等先进的材料生长技术不断发展，能够精确控制材料的生长层数、厚度和掺杂浓度，制备出高质量的AlGaN/GaN异质结构材料。此外，一些新的欧姆接触工艺和钝化工艺也在不断涌现，如使用钛铝合金金属作为无金欧姆接触电极，实现了在无沟槽刻蚀铝镓氮/氮化镓上的超低欧姆接触值，满足了射频、功率器件等的欧姆接触要求；采用SiO?、SiNx等材料进行钝化处理，有效地抑制了电流崩塌现象。

在国内，众多科研机构和高校也在积极开展AlGaN/GaNHEMT相关研究，并取得了显著进展。江苏镓宏半导体有限公司申请的“一种新型AlGaN/GaNHEMT外延结构及其制备方法”专利，通过在AlGaN/GaNHEMT外延层引入应力调试、缺陷控制、杂质补偿等结构技术，有效解决了传统结构应力过大裂纹、电流崩塌、纵向击穿等问题，提高了器件的性能和稳定性。山东大学徐现刚教授课题组和中国科学院半导体研究所王晓亮教授课题组在国产4英寸SiC衬底上，通过在HEMT结构中同时引入AlN插入层和GaN高迁移率沟道层，研制出了高性能GaN/AlGaN/AlN/GaNHEMT结构材料，并基于此制备出了高增益和高功率附加效率的GaN/AlGaN/AlN/GaNHEMT微波功率器件。然而，当前研究仍存在一些不足之处。一方面，对于一些新结构和新工艺的研究还处于实验室阶段，距离大规模产业化应用还有一定的距离，需要进一步解决工艺兼容性和成本控制等问题。另一方面，在器件的可靠性和稳定性研究方面，虽然已经取得了一些进展，但仍需要深入研究器件在高温、高功率等极端条件下的失效机制，以进一步提高器件的可靠性。

1.3研究目标与内容

本研究旨在通过设计新型的AlGaN/GaNHEMT结构，研究与之相匹配的新工艺，以提高器件的性能和稳定性，具体目标如下：

设计新型结构：提出一种新颖的AlGaN/GaNHEMT结构，通过优化势垒层、沟道层以及插入层的材料组成和厚度，改善二维电子气的特性，提高电子迁移率和浓度，从而提升器件的输出功率和频率性能。

研究新工艺：探索新的材料生长工艺和器件制备工艺，如改进的MOCVD生长工艺，精确控制材料的生长参数，减少材料中的缺陷；开发新的刻蚀工艺和金属化工艺，降低器件的寄生电阻和电容，提高器件的