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集成电路试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（每题2分，共20分。请将正确选项的首字母填入括号内）

1.在CMOS反相器中，当输入电压处于阈值电压Vth和电源电压Vdd之间时，晶体管的工作状态是（）。

A.PMOS导通，NMOS截止

B.PMOS截止，NMOS导通

C.PMOS和NMOS均导通

D.PMOS和NMOS均截止

2.以下哪种效应不是导致MOSFET器件参数随温度变化的因素？（）

A.载流子迁移率变化

B.阱氧化层厚度变化

C.阱内电荷变化

D.热电压变化

3.在数字集成电路设计中，为了降低功耗，通常采用的技术包括（）。

A.提高工作电压

B.增加晶体管尺寸

C.采用动态电压频率调整（DVFS）

D.减小器件阈值电压

4.CMOS电路中，通常将连接到地（GND）的节点称为（）。

A.电源节点

B.控制节点

C.输出节点

D.负载节点

5.光刻工艺中，用来定义图形转移的掩模版称为（）。

A.掩模版（Reticle）

B.基板（Wafer）

C.光刻胶（Photoresist）

D.腐蚀液

6.MOSFET的输出特性曲线中，描述器件处于饱和区（SaturationRegion）的条件通常是（）。

A.VGSVth且VDSVGS-Vth

B.VGSVth且VDS≥VGS-Vth

C.VGSVth且VDS≥VGS-Vth

D.VGSVth且VDSVGS-Vth

7.在CMOS集成电路制造过程中，形成器件有源区（ActiveRegion）的关键工艺步骤是（）。

A.氧化（Oxidation）

B.掺杂（Doping）

C.光刻（Lithography）

D.腐蚀（Etching）

8.通常情况下，增加MOSFET的沟道长度（L）会导致（）。

A.开启电流（Ion）增大，阈值电压（Vth）降低

B.开启电流（Ion）减小，阈值电压（Vth）升高

C.开启电流（Ion）增大，阈值电压（Vth）升高

D.开启电流（Ion）减小，阈值电压（Vth）降低

9.在集成电路版图设计中，需要遵循“kontaktkoppling”规则，其主要目的是（）。

A.防止器件短路

B.保证金属层电气连接

C.隔离不同功能的模块

D.减小器件面积

10.下面哪种类型的测试主要目的是验证集成电路是否按照设计功能工作？（）

A.参数测试

B.功能测试

C.可靠性测试

D.制造缺陷检测

二、填空题（每空2分，共20分。请将答案填入横线上）

1.MOSFET器件的电学特性主要取决于其半导体材料中的______和______。

2.在CMOS反相器中，当输入为高电平时，输出为______电平；当输入为低电平时，输出为______电平。

3.衡量MOSFET输入电阻大小的物理量是______。

4.集成电路制造过程中，通过向半导体晶圆中注入特定杂质元素，以改变其导电类型或电导率的过程称为______。

5.MOSFET器件的输出特性曲线可以分为三个区域：可变电阻区（______）、饱和区（______）和截止区（______）。

6.在数字电路中，逻辑“1”和逻辑“0”通常用高电平（Vdd）和低电平（GND）来表示，这种表示方法称为______逻辑。

7.光刻工艺中，掩模版上的图形通过曝光转移到光刻胶上，随后通过______工艺去除未曝光或曝光不足的光刻胶。

8.衡量模拟集成电路性能的重要指标之一是______，它表示电路输出电压变化量与输入电压变化量之比。

9.对于N型MOSFET，当栅极电压VGS小于阈值电压Vth时，器件工作在______状态。

10.集成电路的______是指器件在规定条件下，能够正常工作的最长时间。

三、简答题（每题5分，共15分。请简要回答下列问题）

1.简述MOSFET的开启电压（Vth）及其影响因素。

2.什么是静态功耗和动态功耗？简述它们分别主要由什么决定。

3.简述CMOS电路相对于其他类型集成电路（如BJT电路）在功耗、速度和集成度