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超导量子芯片中量子比特的退相干时间与工艺参数关联分析1
超导量子芯片中量子比特的退相干时间与工艺参数关联分析
摘要
本报告系统分析了超导量子芯片中量子比特退相干时间与关键工艺参数之间的内
在关联机制。通过对超导量子比特退相干物理机制的深入剖析,结合当前超导量子芯
片制造工艺现状,建立了退相干时间与材料纯度、薄膜厚度、界面态密度等工艺参数的
量化关联模型。研究采用实验设计与理论模拟相结合的方法,通过控制变量法系统研
究了各工艺参数对退相干时间的影响规律。结果表明,材料中的磁
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