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例1-1：半波整流电路中VD理想，画出uO(t)波形。输出uO(t)取决于VD的工作状态是通还是断。2.晶体二极管电路应用举例整流电路解：1.2.3晶体二极管电路*第62页，共126页，星期日，2025年，2月5日；VD截止?ui0V；VD导通?ui0V1.2.3晶体二极管电路*第63页，共126页，星期日，2025年，2月5日结合图中给定的参数分析：VD1、VD2开路时，阳极对地电位为+5V，阴极对地电位分别为+1V、0V，是判断电路中二极管的通断。采用的方法是比较各二极管的正向开路电压，正向开路电压最大的一只二极管抢先导通。例1-2：图a所示二极管门电路（VD理想）求：uO解：2.晶体二极管电路应用举例门电路门电路的分析关键可见VD2导通。uO=01.2.3晶体二极管电路*第64页，共126页，星期日，2025年，2月5日uO(t)取决于VD是否导通。例1-3:限幅电路中VD理想，求uO(t)并画出波形。电路2.晶体二极管电路应用举例限幅电路解：1.2.3晶体二极管电路*第65页，共126页，星期日，2025年，2月5日限幅电路传输特性输出波形；VD截止?ui5V；VD导通?ui?5V1.2.3晶体二极管电路*第66页，共126页，星期日，2025年，2月5日RL上所得电压值即为VZ管所承受的反向电压值，分别为：8V、7.2V、4V和2.4V。例1-4：图示稳压电路中：uI=12V，UZ=6V，R=4K?。当RL分别为8K?、6K?、2K?和1K?时，求对应输出电压uO。2.晶体二极管电路应用举例稳压电路解：故：uO分别为：6V、6V、4V和2.4V。输出电压uO(t)取决于VZ的工作状态，即：击穿与否。1.2.3晶体二极管电路*第67页，共126页，星期日，2025年，2月5日1.3双极型晶体管1.3.1双极型晶体管的结构与符号1.3.2双极型晶体管的运用状态1.3.3双极型晶体管的放大原理1.3.4双极型晶体管特性曲线1.3.5双极型晶体管的主要参数*第68页，共126页，星期日，2025年，2月5日双极型晶体管存在：两结三极三区发射区(E区)：发送载流子基区(B区)：传输载流子集电区(C区)：收集载流子1.3.1双极型晶体管的结构与符号*第69页，共126页，星期日，2025年，2月5日双极型晶体管四种状态集电结运用状态发射结正向运用反向运用正向运用饱和状态放大状态反向运用反向放大状态截止状态1.3.2双极型晶体管的运用状态*第70页，共126页，星期日，2025年，2月5日1.载流子传输过程（以NPN管为例）1.3.3双极型晶体管的放大原理*第71页，共126页，星期日，2025年，2月5日发射区向基区注入电子(IEn)：发射极电流IE?IEn注入电子在基区边扩散边复合(IBn)：是基极电流IB的一部分集电区收集扩散来的电子(Icn)：Icn构成集电极电流IC的主要成份集电结两边少子定向漂移(ICBO)：ICBO对放大无贡献应设法减小1.载流子传输过程（以NPN管为例）1.3.3双极型晶体管的放大原理*第72页，共126页，星期日，2025年，2月5日双极型晶体管放大应满足两方面条件：外部条件：发射结正偏集电结反偏内部条件：薄基区发射区重掺杂基区轻掺杂1.载流子传输过程（以NPN管为例）1.3.3双极型晶体管的放大原理*第73页，共126页，星期日，2025年，2月5日电流分配关系图2.电流分配关系1.3.3双极型晶体管的放大原理*第74页，共126页，星期日，2025年，2月5日定义时有：2.电流分配关系1.3.3双极型晶体管的放大原理*第75页，共126页，星期日，2025年，2月5日电流分配关系2.电流分配关系1.3.3双极型晶体管的放大原理*第76页，共126页，星期日，2025年，2月5日指由发射区注入到基区的载流子基区非平衡载流子浓度分布