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反点排列对Zigzag边界石墨烯纳米带电子输运性质的影响：理论与应用探究

一、绪论

1.1研究背景与意义

石墨烯，作为一种由单层碳原子组成的二维材料，自2004年被成功剥离以来，凭借其独特的物理性质在科学界和工业界引起了广泛关注。它具有狄拉克（Dirac）费米子特性，电子迁移率极高，在室温下可达200,000cm2/(V?s)，远超传统半导体材料，这使得石墨烯在高速电子学器件领域展现出巨大的应用潜力。从力学性能来看，石墨烯的强度极高，是钢的数百倍，同时还具备良好的柔韧性，能够承受较大程度的弯曲而不发生破裂，这为其在柔性电子器件中的应用提供了有力支持。此外，石墨烯还拥有出色的导热性能，热导率高达5300W/(m?K)，在散热材料方面具有广阔的应用前景。其超大的比表面积（理论值为2630m2/g）使其在能源存储、催化和传感器等领域也备受关注。

在众多石墨烯相关的研究中，石墨烯纳米带（GrapheneNanoribbons，GNRs）由于其准一维结构，展现出与大块石墨烯不同的电子特性，成为研究的热点之一。根据边缘形状的不同，石墨烯纳米带主要分为扶手椅型（Armchair）和锯齿型（Zigzag）。其中，Zigzag边界石墨烯纳米带具有独特的物理性质，理论预言其具有半金属特性，即具有金属性的导带和半导体性的价带，且在边界处会出现局域电子态和自旋极化现象，这使得它在自旋电子学器件中具有潜在的应用价值。例如，可用于制造自旋过滤器、自旋晶体管等，有望实现信息的高效存储和处理。此外，Zigzag边界石墨烯纳米带在纳米电路中也可作为连接元件，利用其独特的电子输运性质实现信号的有效传输和调控。

反点（Antidot）排列是一种在材料中引入周期性缺陷的方式，通过改变反点的大小、间距和排列方式，可以对材料的电子结构和输运性质进行有效调控。在Zigzag边界石墨烯纳米带中引入反点排列，能够进一步丰富其物理性质，为开发新型纳米电子器件提供更多的可能性。例如，通过合理设计反点排列，可以调控纳米带的带隙，使其满足不同电子器件的需求；还可以改变电子的传输路径，实现电子的局域化或定向传输，这对于提高器件的性能和功能具有重要意义。因此，研究反点排列对Zigzag边界石墨烯纳米带电子输运性质的影响，不仅有助于深入理解低维材料中电子与缺陷的相互作用机制，还能为新型纳米电子器件的设计和开发提供理论基础和技术支持，具有重要的科学研究价值和实际应用意义。

1.2国内外研究现状

国内外学者对Zigzag边界石墨烯纳米带及反点排列进行了大量研究。在Zigzag边界石墨烯纳米带的基础研究方面，理论计算和实验测量都取得了重要成果。理论上，通过密度泛函理论（DFT）等方法，深入研究了其电子结构、能带特性以及边界态的形成机制。研究发现，Zigzag边界的存在会导致纳米带边缘出现局域化的电子态，这些电子态对纳米带的电学、磁学性质产生重要影响。例如，边界态的自旋极化现象使得Zigzag边界石墨烯纳米带在自旋电子学领域具有潜在的应用价值。在实验方面，中国科学院物理研究所的研究团队利用石墨烯的各向异性刻蚀效应与传统微加工技术相结合，成功制备出具有原子级平整的Zigzag边缘结构的石墨烯纳米结构，并对其输运性质及拉曼散射进行了研究。实验结果表明，这种锯齿形边缘结构的石墨烯纳米条带中，载流子在其边缘散射很弱，具有极高的载流子迁移率，验证了理论预言的半金属性输运行为。

对于反点排列对材料性质的影响，在其他材料体系中已有一定研究。例如，在半导体量子阱中，引入反点阵列可以调控电子的量子态和输运性质，实现量子比特等功能。在石墨烯体系中，也有部分研究关注反点对电子输运的影响。一些研究通过数值模拟方法，探讨了反点尺寸、间距等参数对石墨烯电子输运的影响规律。结果表明，反点的存在会导致电子散射增强，从而改变石墨烯的电导率和载流子迁移率。然而，针对反点排列对Zigzag边界石墨烯纳米带电子输运性质的研究还相对较少，尤其是在考虑反点排列的周期性、对称性以及与Zigzag边界的相互作用等方面，还存在许多有待深入探索的问题。目前的研究主要集中在简单的反点模型，对于复杂的反点排列方式及其对纳米带电子输运性质的综合影响，尚未形成系统的认识。

1.3研究内容与方法

本研究聚焦于反点排列对Zigzag边界石墨烯纳米带电子输运性质的影响。具体研究内容包括：首先，构建不同反点排列方式的Zigzag边界石墨烯纳米带模型，考虑反点的大小、间距、排列对称性等因素，通过理论计算方法研究这些因素对纳米带电子结构的影响，分析能带结构、态密度等电子结构参数的变化规律。其次，深入探究反点排列对Zigzag边界石墨烯纳米带电子输运特性的影响，包括电导率、载流子迁移