超短沟道二硫化钼场效应晶体管：制备工艺与电学性能的深度剖析.docx

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2025-12-13 发布于上海
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超短沟道二硫化钼场效应晶体管：制备工艺与电学性能的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

随着信息技术的飞速发展，半导体器件的小型化一直是推动集成电路技术进步的核心驱动力。从早期的电子管到晶体管，再到如今高度集成的大规模集成电路，半导体器件的尺寸不断缩小，性能却不断提升。根据摩尔定律，集成电路上可容纳的元器件数目每隔18-24个月便会增加一倍，这一趋势使得半导体器件的尺寸持续向更小的尺度迈进。在这一进程中，场效应晶体管（FET）作为集成电路的基本构建单元，其沟道长度的不断缩小起着关键作用。较小的沟道长度可以提高晶体管的开关速度，降低功耗，并增加集成电路的集成度，从而带来更高的性能