1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 学术论文
  5. 通讯论文

高压应力下功率SOI-LIGBT器件性能参数退化机制与应对策略探究.docx

高压应力下功率SOI-LIGBT器件性能参数退化机制与应对策略探究.docx

    1. 1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
    2. 2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
    3. 3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
    查看更多

    高压应力下功率SOI-LIGBT器件性能参数退化机制与应对策略探究

    一、引言

    1.1研究背景与意义

    在现代电力电子领域，随着各类电气设备对高效、高功率密度和高可靠性要求的不断提升，功率半导体器件扮演着愈发关键的角色。功率SOI-LIGBT（Silicon-On-InsulatorLateralInsulatedGateBipolarTransistor，绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管）器件凭借其独特的结构和优异的性能，逐渐成为研究和应用的热点。它融合了SOI技术的全介质隔离优势，能有效减小寄生效应，同时具备横向绝缘栅双极型晶体管击穿电压高、导通电阻低且易于与标准CMOS

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1234554321 + 关注
    实名认证
    内容提供者

    该用户很懒，什么也没介绍

    咨询Ta 进入空间

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >