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电力电子技术名词解释
目录
CATALOGUE
01
基本概念定义
02
核心器件介绍
03
电路拓扑解析
04
控制技术名词
05
应用领域术语
06
前沿发展词汇
PART
01
基本概念定义
电力电子技术概述
学科交叉特性
电力电子技术是电力学、电子学和控制理论的交叉学科，主要研究电能形式的变换与控制技术，包括整流、逆变、变频和斩波等核心功能模块。
应用领域广泛
该技术广泛应用于工业传动、新能源发电、智能电网、电动汽车及家用电器等领域，是现代能源系统的关键支撑技术之一。
高效能转换核心
通过半导体功率器件实现电能的高效转换，典型效率可达90%以上，显著降低传统电磁转换方案的能耗损失。
智能化发展趋势
结合现代数字控制技术，电力电子装置正朝着高频化、模块化和智能化的方向发展，推动能源互联网的构建。
功率转换原理
整流技术原理
利用晶闸管或二极管将交流电转换为直流电，包括单相/三相不控整流和相位控制整流，涉及换相重叠角等关键参数设计。
01
逆变技术机制
通过全控型器件（如IGBT）的PWM调制，将直流逆变为可调频调压的交流电，包含电压型与电流型两种拓扑结构。
直流斩波原理
采用MOSFET或IGBT进行直流电压变换，通过占空比调节实现降压（Buck）、升压（Boost）或升降压（Buck-Boost）功能。
谐振软开关技术
利用LC谐振实现器件零电压/零电流开关，可降低开关损耗，提高转换效率，适用于高频化应用场景。
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04
核心术语分类
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器件类术语
包括晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、绝缘栅双极晶体管（IGBT）等功率半导体器件的特性参数（如耐压等级、开关速度）。
涵盖单象限/多象限变流器、两电平/三电平逆变器、矩阵式变换器等典型电路结构及其适用场景。
电路拓扑术语
控制技术术语
涉及空间矢量调制（SVPWM）、滞环电流控制、直接转矩控制（DTC）等先进控制策略的实现原理。
性能指标术语
包括总谐波畸变率（THD）、功率因数（PF）、转换效率（η）等关键系统评价参数的测量与计算方法。
PART
02
核心器件介绍
二极管特性与应用
单向导电性
二极管具有正向导通、反向截止的特性，其伏安特性曲线呈现显著非线性，常用于整流电路中实现交流转直流功能。肖特基二极管因低导通压降（0.2-0.3V）广泛应用于高频开关电源。
反向击穿机制
高频应用特性
齐纳二极管利用可控雪崩击穿效应实现稳压功能，工作电压范围从2.4V至200V，是精密电压基准电路的核心元件。瞬态电压抑制二极管（TVS）则通过快速响应（ps级）保护敏感电子设备免受浪涌冲击。
PIN二极管在射频领域表现出优异的开关特性，其本征层（I层）可调节载流子寿命，常用于微波信号切换和衰减控制，插入损耗可低至0.5dB以下。
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晶闸管结构与功能
四层三结结构
晶闸管由PNPN四层半导体构成，包含J1/J2/J3三个结，通过门极电流触发后进入自锁导通状态，维持电流需降至擎住电流以下才能关断，适用于大功率交流调压系统。
光触发变体
光控晶闸管（LTT）采用红外光触发，绝缘电压可达10kV以上，特别适用于高压直流输电（HVDC）等强电磁干扰环境。
相位控制应用
在可控整流电路中，通过调节触发角（0°-180°）实现输出电压0-100%连续可调，典型应用包括电解电镀电源和直流电机调速装置。
IGBT工作机理
MOSFET-BJT复合结构
IGBT结合MOSFET的电压驱动特性和BJT的低导通损耗优势，导通压降较MOSFET降低50%以上，特别适用于600V以上中高压领域如变频器和逆变焊机。
动态开关特性
关断时存在拖尾电流现象，通过载流子寿命控制技术（如电子辐照）可缩短关断时间至100ns级，开关频率可达100kHz，显著降低高频应用中的开关损耗。
温度敏感性
导通压降具有正温度系数（1.5mV/℃），便于多模块并联均流，但需注意结温超过150℃可能引发闩锁效应导致器件永久损坏。
PART
03
电路拓扑解析
整流电路形式
单相半波整流电路
仅利用交流电的正半周或负半周进行整流，结构简单但输出脉动大、效率低，适用于小功率场合如电池充电器。
单相全波整流电路
通过变压器中心抽头或桥式结构实现全周期整流，输出直流电压纹波较小，效率较高，广泛应用于家电和工业电源。
三相桥式整流电路
采用六个二极管或可控硅组成的三相全桥，输出直流电压平稳、功率容量大，适用于大功率工业设备如电机驱动和电解电源。
可控整流电路
通过晶闸管等器件控制导通角，实现输出电压可调，常用于直流电机调速和电镀电源等需要电压调节的场景。
逆变电路拓扑
以电感储能为核心，输出电流波形连续，抗短路能力强，多用于感应加热和大功率电机驱动领域。
电流型逆变器
多电平逆变器
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