Cr_,3_C_,2_颗粒增强高强高导铜基复合材料的制备、性能及机理研究.docxVIP

Cr,3C,2颗粒增强高强高导铜基复合材料的制备、性能及机理研究

一、引言

1.1研究背景与意义

随着现代工业的飞速发展，对材料性能的要求日益严苛。在众多领域，如电子、电力、交通等，高强高导铜基复合材料展现出了不可或缺的重要性。在电子封装领域，芯片运行时会产生大量热量，这就需要材料具备高导热性以快速散热，同时还需高导电性来保障信号的高效传输，高强高导铜基复合材料恰好能满足这些要求，从而有效提升芯片的稳定性和可靠性。在电力传输中，为了减少电能损耗，导线需要有高导电性；而在面对复杂的安装和使用环境时，又需要具备足够的强度，高强高导铜基复合材料可以很好地胜任这一角色。

在现有的高强高导铜基复合材料研究中，增强相的选择至关重要。Cr?C?颗粒凭借其独特的性能，成为了备受关注的增强相之一。Cr?C?具有高硬度、高熔点以及良好的化学稳定性等优点。将其作为增强相引入铜基体中，有望显著提高铜基复合材料的强度。从硬度方面来看，Cr?C?的高硬度可以有效阻碍位错运动，当位错遇到Cr?C?颗粒时，需要消耗更多能量才能绕过或切过颗粒，从而增加了材料的变形难度，提高了强度。在高温环境下，其高熔点和化学稳定性能够保证复合材料的结构稳定性，抑制铜基体的晶粒长大和软化，进而维持材料的高强度和高导电性。因此，开展Cr?C?颗粒增强高强高导铜基复合材料的研制，对于满足现代工业对高性能材料的迫切需求具有重要的现实意义，有望推动相关领域的技术进步和产业发展。

1.2高强高导铜基材料研究现状

目前，已开发出多种类型的高强高导铜基材料。其中，Cu-Fe-P系铜合金是较为常见的一种。Fe元素的加入可以通过固溶强化和沉淀强化作用提高铜合金的强度，P元素则主要用于脱氧，改善合金的导电性和工艺性能。该系合金在保持一定导电率的同时，强度得到了有效提升，在一些对强度和导电性要求适中的领域，如普通电机的绕组等有一定应用。

Cu-Ni-Si系铜合金也是研究和应用较多的类型。Ni和Si在铜基体中形成的沉淀相可以起到沉淀强化的作用，显著提高合金的强度。同时，通过合理的热处理工艺，可以使合金在具有较高强度的情况下，仍保持较好的导电性。这种合金常用于制造电子连接器、集成电路引线框架等对材料综合性能要求较高的电子元件。

还有Cu-Cr-Zr系铜合金，Cr在铜中有一定的固溶度，通过固溶处理和时效处理，Cr可以从铜基体中析出细小的颗粒，产生沉淀强化效果，Zr元素则可以细化晶粒，进一步提高合金的强度和导电性。该系合金在电阻焊电极、连铸结晶器内衬等领域有广泛应用，能够承受高温和高应力的工作环境。

然而，现有高强高导铜基材料在性能和应用方面仍存在一定的局限性。部分材料虽然强度较高，但导电率难以达到一些高端应用的要求，如在超大规模集成电路中，对导电率的要求极高，现有的一些铜基材料无法完全满足。在一些极端工作条件下，如高温、高腐蚀环境，材料的性能稳定性不足，容易出现性能衰退，影响设备的正常运行。此外，一些制备工艺复杂、成本较高，限制了材料的大规模应用和推广。

1.3铜基复合材料的强化方式

1.3.1固溶强化

固溶强化的原理是溶质原子溶入铜基体形成固溶体，导致晶格畸变。当合金元素融入铜基体时，由于溶质原子与铜原子的尺寸差异，会使铜的晶格发生扭曲变形。这种晶格畸变增加了位错运动的阻力，因为位错在运动过程中需要克服畸变晶格带来的阻碍，从而使材料的强度和硬度提高。以Cu-Ag合金为例，在共晶温度（779℃）时银在铜中的溶解度可达8%，银原子分布在固溶体中，产生显著的固溶强化效应，提高了铜的强度和硬度。但固溶强化对铜基复合材料的性能也存在一些负面影响，由于溶质原子对电子的散射作用增强，会导致材料的导电性下降。而且随着溶质原子浓度的增加，导电性下降的程度更为明显。同时，过量的溶质原子可能会降低材料的塑性和韧性，使材料在加工和使用过程中更容易发生脆性断裂。

1.3.2沉淀强化

沉淀强化是一个较为复杂的过程。首先，通过固溶处理将合金元素充分溶解在铜基体中，形成过饱和固溶体。然后在时效处理过程中，过饱和的合金元素会从铜基体中析出，形成细小弥散的沉淀相。这些沉淀相可以有效阻碍位错运动，从而提高铜基复合材料的强度。例如在Cu-Cr合金中，经过固溶处理后，Cr原子均匀地溶解在铜基体中，随后的时效处理使Cr原子析出形成细小的Cr粒子。这些Cr粒子与位错相互作用，位错需要绕过或切过这些粒子才能继续运动，这就增加了位错运动的难度，进而提高了材料的强度。沉淀强化能够在提高强度的同时，较好地保持铜基复合材料的导电性。因为沉淀相的尺寸较小且弥散分布，对电子的散射作用相对较弱，所以对导电性的影响较小。不过，沉淀强化效果与沉淀相