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Infineon英飞凌 CoolSiC 1200 V SiC MOSFET IMBG120R012M2H 数据手册.pdf

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    英飞凌IMBG120R012M2H碳化硅MOSFET

    最终数据手册

    英飞凌工业用CoolSiC™1200VSiCMOSFETG2：碳化硅MOSFET

    特性

    •Tvj=25°C时VDSS=1200V

    •TC=100°C时IDDC=102A

    •RDS(on)=12.2mΩ（VGS=18V、Tvj=25°C时）

    •开关损耗非常低

    •过载运行最高结温可达Tvj=200°C

    •短路耐受时间2µs

    •基准栅极阈值电压，VGS(th)=4.2V

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