场效应管放大电路 (2)2.pptVIP

第1页，共36页，星期日，2025年，2月5日第四章场效应管放大电路1熟悉MOSFET、JFET的外特性、主要

参数、使用注意事项。2掌握FET放大电路的工作原理，静态偏

置电路，会用小信号模型方法分析动态性能。3了解FET工作原理。基本要求：第2页，共36页，星期日，2025年，2月5日概述4.3结型场效应管4.1绝缘栅场效应管（MOSFET）4.4砷化镓金属－－半导体场效应管4.5各种放大器件电路性能比较4.2MOSFET放大电路第四章场效应管放大电路第3页，共36页，星期日，2025年，2月5日概述1、场效应管利用电场效应来控制输出电流的半导体器件2、特点：?体积小、重量轻、耗电省、寿命长?输入电阻高?噪声低?热稳定好?制造工艺简单，便于集成化第4页，共36页，星期日，2025年，2月5日N沟道P沟道增强型耗尽型N沟道P沟道N沟道P沟道FET场效应管JFET结型MOSFET绝缘栅型(IGFET)概述3、分类：第5页，共36页，星期日，2025年，2月5日概述4.3结型场效应管4.1绝缘栅场效应管（MOSFET）4.4砷化镓金属－－半导体场效应管4.5各种放大器件电路性能比较主要内容：4.2MOSFET放大电路第6页，共36页，星期日，2025年，2月5日4.1绝缘栅场效应管漏极D栅极和其它电极及硅片之间是绝缘的，称绝缘栅型场效应管。金属电极1)N沟道增强型管的结构栅极G源极S4.1.1增强型绝缘栅场效应管SiO2绝缘层P型硅衬底高掺杂N区第7页，共36页，星期日，2025年，2月5日GSD符号：由于栅极是绝缘的，栅极电流几乎为零，输入电阻很高，最高可达1014?。漏极D金属电极栅极G源极SSiO2绝缘层P型硅衬底高掺杂N区由于金属栅极和半导体之间的绝缘层目前常用二氧化硅，故又称金属-氧化物-半导体场效应管，简称MOS场效应管。第8页，共36页，星期日，2025年，2月5日2）N沟道增强型管的工作原理EGP型硅衬底N+N+GSD+–UGSED+–由结构图可见，N+型漏区和N+型源区之间被P型衬底隔开，漏极和源极之间是两个背靠背的PN结。当栅源电压UGS=0时，不管漏极和源极之间所加电压的极性如何，其中总有一个PN结是反向偏置的，反向电阻很高，漏极电流近似为零。SD第9页，共36页，星期日，2025年，2月5日2）N沟道增强型管的工作原理EGP型硅衬底N+N+GSD+–UGSED+–当UGS0时，P型衬底中的电子受到电场力的吸引到达表层，填补空穴形成负离子的耗尽层；N型导电沟道在漏极电源的作用下将产生漏极电流ID，管子导通。当UGSUGS（th）时，将出现N型导电沟道，将D-S连接起来。UGS愈高，导电沟道愈宽。ID第10页，共36页，星期日，2025年，2月5日2）N沟道增强型管的工作原理EGP型硅衬底N+N+GSD+–UGSED+–N型导电沟道当UGS?UGS(th）后，场效应管才形成导电沟道，开始导通，若漏–源之间加上一定的电压UDS，则有漏极电流ID产生。在一定的UDS下漏极电流ID的大小与栅源电压UGS有关。所以，场效应管是一种电压控制电流的器件。在一定的漏–源电压UDS下，使管子由不导通变为导通的临界栅源电压称为开启电压UGS(th）。ID第11页，共36页，星期日，2025年，2月5日工作原理小结1.正常放大时各极电压极性：G、S间加正偏压VGG－?S+?GD、S间外加偏压VDD＋?D－?S衬底S第12页，共36页，星期日，2025年，2月5日2.工作原理:(P200)(1)vGS对iD的控制作用：?vGS=0，无导电沟道iD=0?vGS?垂直电场vGS??≥VT形成导电沟道vGS???导电沟道厚度??

沟道电阻??

iD??开启电压（刚好形成导电沟道时的vGS)第13页，共36页，星期日，2025年，2月5日(2)vDS对导电沟道的影响作用：vDS???(=vGS-v