水热法制备ZnO纳米棒阵列的工艺优化与特性表征研究.docx

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2025-12-17 发布于上海
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水热法制备ZnO纳米棒阵列的工艺优化与特性表征研究

一、引言

1.1ZnO纳米棒阵列研究背景与意义

在现代材料科学领域，半导体材料一直占据着至关重要的地位，而氧化锌（ZnO）作为一种直接带隙宽禁带半导体材料，凭借其独特的物理性质，在众多领域展现出巨大的应用潜力，成为研究的焦点之一。ZnO的晶体结构通常为六方纤锌矿结构，这种特殊的结构赋予了它一系列优异的性能。室温下，ZnO的禁带宽度达到3.37eV，激子结合能更是高达60meV，比室温热离化能（26meV）大得多。这一特性使得ZnO在室温条件下能够保持激子的稳定性，为其在光电器件中的应用奠定了坚实的基础。例如，在紫外发光二极