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深亚微米ULSI中抗反射介质膜的研究与性能优化策略

一、引言

1.1研究背景与意义

随着信息技术的飞速发展，集成电路（IC）技术不断进步，深亚微米超大规模集成电路（ULSI）已成为现代电子产业的核心。在ULSI中，芯片的集成度不断提高，特征尺寸不断缩小，这对光刻技术提出了更高的要求。光刻技术是ULSI制造中的关键工艺，其分辨率直接影响芯片的性能和制造精度。然而，随着特征尺寸进入深亚微米乃至纳米尺度，光刻过程中的反射问题变得愈发严重，成为制约光刻分辨率提高的重要因素之一。

在光刻过程中，当光线照射到晶圆表面时，由于晶圆与光刻胶等材料之间的折射率差异，会发生反射现象。反射光会与入射光相互