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硅基锗材料的异质外延生长探究
引言
在半导体材料的发展历程中，硅（Si）凭借其优良的物理化学性质、成熟的制备工艺以及与大规模集成电路制造技术的高度兼容性，长期占据着主导地位。然而，随着信息技术的飞速发展，对半导体器件性能的要求日益提高，传统硅材料逐渐显现出一些局限性，如载流子迁移率相对较低，在光电器件应用方面存在间接带隙导致的发光效率低等问题。锗（Ge）作为与硅同属Ⅳ族的半导体元素，具有诸多独特优势，为解决上述问题带来了新的契机。
锗材料的电子和空穴迁移率显著高于硅，这使得基于锗的器件在高速电子学领域展现出巨大潜力。例如，在金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）中，更高的迁移率意味着
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