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应变硅MOS器件阈值电压模型：理论、构建与验证

一、绪论

1.1研究背景与意义

在现代集成电路领域，CMOS工艺持续发展，集成度不断攀升，对器件性能提出了更高要求。为满足这些需求，应变技术应运而生，成为推动CMOS工艺进步的关键工艺手段之一。通过在半导体材料中引入应变，可以显著改变材料的电学特性，特别是提高晶体管的迁移率和工作速度，进而提升整个集成电路的性能。在众多采用应变技术的器件中，应变硅MOS器件因其优异的性能表现，受到了广泛的关注和深入的研究。

阈值电压作为应变硅MOS器件的一个核心参数，对器件的性能有着至关重要的影响。它直接决定了器件的导通特性，即决定了在何种栅源电压