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APCVD法制备硅化钛薄膜与纳米线：结构、性能及生长机制研究

一、引言

1.1研究背景

在当今科技飞速发展的时代，新型材料的研究与开发始终是推动各个领域进步的关键力量。硅化钛（TiSi_2）作为一种具有独特物理化学性质的材料，近年来在众多领域展现出了极为广阔的应用前景，引起了科研人员的广泛关注。

从晶体结构角度来看，硅化钛具有较为稳定的晶体结构，这赋予了它一系列优异的性能。在电学性能方面，硅化钛具有较低的电阻率，其典型值能够达到37\mu\Omega\cdotcm，这一特性使得它在微电子领域中成为理想的电极材料和互连材料。随着集成电路技术的不断发展，对电子器件的性能要求越来越高，而硅化