倍频器芯片行业洞察.pdfVIP

1.倍频器芯片定义

倍频器芯片是一种微型电子元件，利用特定半导体材料的非线性特性，从较低频率的

输入信号生成更高频率的输出信号。这种通常在硅晶圆上制造的微型设备，在各种电子系

统中发挥着关键作用，在这些系统中，频率的倍增是必要的，例如在通信设备、雷达系统

和测试测量仪器中。其小型化设计和在频率倍增方面的高效性使其成为现代电子设备中的

关键元素，使得能够实现紧凑、高频的电路，这对于无线技术的进步和其他高性能应用至

关重要。

图1：倍频器芯片产品图片

来源：QYResearch电子及半导体研究中心

2.倍频器芯片的发展因素

2.1.下游应用对“更高频率”和“更宽频谱”的极致追求

倍频器芯片作为射频/毫米波系统中实现频率跃升的核心有源器件，其技术发展完全由

下游高端应用对“更高频率”和“更宽频谱”的极致需求所主导，这一系统级需求直接定

义了倍频器芯片性能的终极靶心。在通信领域，从5G已商用的Sub-6GHz与毫米波（24-

40GHz）到6G已明确布局的100-300GHz乃至太赫兹（0.1-10THz）频段，每一次载波频

率的代际跃升都对本地振荡器（LO）链提出极端挑战，直接使用晶体振荡器产生数百GHz

以上信号在功率、成本、稳定性上几无可能，低频高稳晶振结合多级高效倍频器链已成为

唯一工程可行、性价比最高的方案，推动二倍频、三倍频、甚至六倍频、九倍频级联架构

的持续突破；在汽车自动驾驶与智能交通领域，77GHz已成为标配，而向140-170GHz甚

至325GHz雷达演进的需求直接催生了超高效率、高输出功率的三倍频与四倍频毫米波倍

频器芯片，以实现亚毫米级距离分辨率与高精度角分辨率；在安防、工业无损检测、医学

太赫兹成像等高分辨率成像场景，170-325GHz乃至500GHz以上频段的超短波长是达到毫

米甚至亚毫米成像精度的物理前提，倍频器芯片成为唯一能够以合理成本与功耗实现这些

频段信号源的关键；在电子对抗（ECM/ECCM）与电子支援（ESM）系统中，需要在极宽

频段内产生相位噪声极低、可瞬间跳频的高纯度干扰与欺骗信号，对倍频器的相位噪声传

递特性、杂散抑制（70dBc）、谐波抑制以及输出功率平坦度提出严苛要求；同时，尖端

测试测量仪器（如覆盖110GHz、220GHz、330GHz乃至1THz的矢量网络分析仪、频谱

仪、信号源分析仪）要求本振与激励源具备连续超宽带覆盖能力，进一步驱动宽带可调谐

倍频器、超低相噪倍频链以及基于新型材料（如InPHBT、GaN、mHEMT）的超高次倍频

技术迅猛发展。正是这些对更高频率、更宽频谱、更低相噪、更强杂散抑制的系统级极致

追求，共同构成了倍频器芯片技术迭代最根本、最强大的外部驱动力，并持续将其性能推

向物理与工艺极限。

2.2.技先进材料与极致微纳工艺的双轮革命

倍频器芯片尤其是毫米波至太赫兹频段高性能倍频器的性能跃升，本质上依赖于基础

半导体材料与微纳制造工艺的颠覆性突破，二者相辅相成，缺一不可。其中，半导体材料

的革新奠定了物理极限的新上限：砷化镓（GaAs）凭借极高的电子迁移率（可达8500cm²

/V·s）和成熟的半绝缘衬底工艺，长期占据毫米波肖特基二极管倍频器的主流地位；氮化

镓（GaN）以高达3.4MV/cm的临界击穿电场和优异的热导率成为功率倍频的“游戏规则

改变者”，使其在相同尺寸下可承受数倍于GaAs的输入功率，有效抵消倍频链中每级6–

12dB的转换损耗，实现W级甚至更高输出功率，成为驱动后续高功率放大器或发射机的

关键；磷化铟（InP）则凭借更高的电子饱和速度和低噪声特性，在300GHz以上乃至亚太

赫兹频段展现出无可替代的优势；而氮化铝（AlN）作为新兴高热导衬底（~285W/m·K），

与GaN、InP异质外延结合，正在解决高功率密度芯片的热瓶颈。与此同时，微纳加工工艺

的极致精度提升则将材料潜力转化为真实性能：光刻分辨率从深紫外（DUV）向极紫外

（EUV）的跨越、干法蚀刻侧壁垂直度达89.9°以上、自对准空气桥工艺、零级对准精度

10nm，使得肖特基二极管阳极结面积缩小至亚微米甚至数十纳米级，显著降低结电容

（Cj可低至几fF）、串联电阻（Rs5Ω），从而将截止频率推至3–10THz；同时，基于

SOI、LNOI、GaN-on-SiC等先进平台的薄膜转移、键合与异质集成技术，大幅削减寄生电

容与介质损耗，实现超宽带、低损耗的波导-共面波导-微带多模过渡以及单片集成多级