串联电容器及成套装置介绍.pptVIP

4.串联电容器设计中的几个争议问题4.2串联电容器介质结构采用三膜还是采用两膜为好4.串联电容器设计中的几个争议问题4.2串联电容器介质结构采用三膜还是采用两膜为好为了避开电弱点的影响，将电容器极间固体介质多层叠放，彼此弱点相互隔离，减少绝缘介质电弱点贯穿的可能性。尚若采用两膜结构，当一层膜存在弱点，极板间的耐电强度仅由一层膜承担。显然三膜介质电弱点重合概率远小于两膜介质结构。并联电容器大多数采用的三膜结构。从可靠性角度看，串联电容器应当采用三膜结构的好。4.串联电容器设计中的几个争议问题4.串联电容器设计中的几个争议问题4.串联电容器设计中的几个争议问题4.3短路放电试验和熔丝下限隔离试验是否矛盾？以CAM6.15-558-1W型串联电容器为例，内部电气连接19并4串，计算下限隔离储能为105.2J，短路放电元件储能为123.6J，短路放电元件储能大于下限隔离储能。选择熔丝临界熔断能量时，通常要求熔丝的临界熔断能量大于短路放电能量，小于熔丝下限隔离能量为边界条件。上述电容器，如果选择临界熔断能量大于短路放电能量，满足短路放电熔丝不被熔断的条件，但熔丝下限隔离也不会熔断，反之若选择熔丝下限隔离熔断，短路放电时熔丝也会熔断，熔丝临界能量选择处于两难境地。4.串联电容器设计中的几个争议问题4.3短路放电试验和熔丝下限隔离试验是否矛盾？4.串联电容器设计中的几个争议问题5.串联电容器设计可靠性估计采用两膜介质结构，制做了国产膜和进口膜试品，进行了交流和直流击穿试验，试验接线原理图，见图3、图4.图3交流击穿试验回路图4直流击穿试验回路Figure3ACbreakdowntestcircuitFigure4DCbreakdowntestcircuitT1---调压器T2---变压器R---保护电阻V--静电电压表T1---调压器T2---变压器R---保护电阻V---静电电压表PT---电压互感器CX----被试电容SB—记忆示波器CR---阻容分压器CX----被试电容SB—记忆示波器D---高压硅堆5.串联电容器设计可靠性估计试验数据统计交流电压为方均根值，直流电压为峰值。按照GB/T4883-2008《数据的统计处理和解释正态样本离群值的判断和处理》中的判断规则，用奈尔（Nair）检测法，对每台试品数据进行了下侧情形，统计离群值和岐离值判断和处理。元件（两膜）交、直流击穿电压数据统计。按照国标GB/T4885-2009《正态分布完全样本可靠度置信下限》规定，运用试验统计数据，进行完全样本置信下限电压、场强估算。

5.串联电容器设计可靠性估计试验（个数）击穿电压/场强kV/MV/m样本方差置信水平置信下限置信系数电压置信下限kV场强置信下限MV/m国产膜交流1536.975/257.20.24/10.410.990.9993.6826.091218.9直流6810.54/388.90.245/9.030.990.9993.9069.583353.6进口膜交流1527.065/262.70.268/10.120.990.9993.6826.078225.4直流7310.47/392.080.259/9.680.990.9993.8739.467354.6

5.串联电容器设计可靠性估计

6串联电容器组内部故障保护单元配平对号安装，相间、组间、臂间和段间容量偏差尽可能小，初始不平衡电流小于同一个串联段3个内熔丝熔断所引起的不平衡电流。损坏元件桥式不平衡电流（mA）元件过电压(PU)故障台过电压（PU）11041.051.0122201.101.03334