半导体物理学名词解释和简答.pptxVIP

半导体物理学概述半导体物理学是研究半导体材料的物理性质、结构以及器件的学科。它涉及半导体的能带理论、载流子输运、光电效应、量子力学等基本理论。ghbygdadgsdhrdhad

半导体材料11.硅(Si)硅是应用最广泛的半导体材料。它具有高丰度、低成本、稳定性好等优点。硅晶体通常用于制造集成电路、太阳能电池和传感器。22.锗(Ge)锗是另一种重要的半导体材料，具有更高的电子迁移率，常用于制造高频器件。锗材料在现代电子设备中应用较少，但它在特殊领域仍然发挥着重要作用。33.砷化镓(GaAs)砷化镓是一种化合物半导体材料，具有比硅更高的电子迁移率和更高的工作频率。砷化镓用于制造高速电子器件、光电器件和无线通信设备。44.其他半导体材料其他半导体材料包括碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)和磷化铟(InP)等。这些材料具有特殊的性能，在特定应用中发挥着独特作用。

能带理论能带理论是固体物理学中的一个基本理论，解释了固体材料中电子能级的分布。根据能带理论，电子在晶体中运动时，由于晶格的周期性，它们的能量不能取任意值，而是被限制在一些允许的能级范围内，这些能级范围被称为能带。能带理论能够解释固体材料的导电性、光学性质、热性质等物理特性。

载流子浓度载流子浓度是指在半导体材料中，自由电子和空穴的浓度之和。自由电子是处于导带中的电子，可以自由移动，参与导电过程。空穴是价带中缺少电子的位置，可以被看作是带正电荷的粒子，也可以自由移动，参与导电过程。载流子浓度是半导体材料的基本物理参数之一，它直接影响着半导体的电导率、迁移率、PN结的特性等。载流子浓度主要受温度、掺杂浓度和材料本身性质的影响。温度升高，会使更多的电子从价带跃迁到导带，载流子浓度增加。掺杂浓度越高，载流子浓度也越高。不同的半导体材料，其能带结构和晶格结构不同，载流子浓度也不同。

载流子迁移率载流子迁移率是表征载流子在电场作用下运动速度的物理量。它是电子或空穴在单位电场强度下获得的漂移速度。迁移率受材料的特性、温度、杂质浓度等因素的影响。定义载流子在单位电场强度下获得的漂移速度。单位厘米平方每伏特秒(cm2/Vs)影响因素材料特性、温度、杂质浓度等

电导率电导率是衡量材料传导电流能力的物理量。它表示在单位电场强度下，材料单位体积内的电流密度。电导率的倒数称为电阻率。半导体的电导率受载流子浓度和迁移率的影响。温度升高会导致载流子浓度增加，从而提高电导率。

扩散电流扩散电流是由载流子浓度梯度引起的。载流子从高浓度区域向低浓度区域移动，形成扩散电流。1浓度梯度载流子浓度不均匀2载流子运动从高浓度区域向低浓度区域3扩散电流产生载流子移动形成电流扩散电流的方向与载流子浓度梯度方向相反。扩散电流是半导体器件中重要的电流类型，例如PN结、双极型晶体管等。

漂移电流电场作用在半导体材料中，当施加一个外电场时，载流子会受到电场力的作用而运动，形成漂移电流。方向与电场漂移电流的方向与外电场的方向相反，电子会朝电场方向移动，空穴则朝相反方向移动。速度与强度载流子的漂移速度与电场强度成正比，漂移速度越快，漂移电流就越大。迁移率载流子迁移率反映了载流子在电场作用下的运动能力，迁移率越大，漂移电流就越大。

PN结PN结的形成PN结是由P型半导体和N型半导体通过特定工艺结合形成的。P型半导体中具有空穴，而N型半导体中具有电子。势垒由于两种类型半导体中载流子的扩散，在PN结界面形成一个空间电荷区，产生一个势垒，阻碍载流子的进一步扩散。空间电荷区空间电荷区是指PN结界面附近缺少自由载流子的区域，包含了固定电荷的离子，形成电场。应用PN结是许多半导体器件的基础，例如二极管、晶体管和集成电路，广泛应用于电子设备中。

势垒高度PN结中，由于掺杂类型不同，空穴和电子在PN结两侧的浓度也不同，形成了一个势垒。势垒高度是电子从N型半导体穿过势垒进入P型半导体的能量差，也称为势垒高度。势垒高度受多种因素影响，包括掺杂浓度、温度以及材料特性。势垒高度对于PN结的导电特性起着关键作用，影响着二极管的导通电压和电流特性。

空间电荷区PN结的中间区域空间电荷区位于PN结的中间区域，由两种类型半导体材料之间的界面形成，其中包含少数载流子，大部分为固定电荷。电荷耗尽区域空间电荷区由于电子和空穴的扩散，形成了电荷耗尽区域，导致该区域的导电性降低。电场强度变化空间电荷区内部存在一个强电场，该电场阻止了载流子的进一步扩散，保持了平衡。

正偏和反偏正偏在正偏压下，PN结的空穴和电子被推动朝PN结方向移动，从而降低势垒高度。这使得更多的载流子能够跨越PN结，导致电流增加。反偏在反偏压下，PN结的空穴和电子被推动远离PN结方向移动，从而增加势垒高度。这使得更少的载流子能够跨越