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GaN基紫外探测器：关键问题剖析与性能提升策略研究

一、引言

1.1研究背景与意义

紫外探测技术作为光电探测领域的重要分支，在军事和民用领域都展现出了极为广泛的应用前景。在军事领域，导弹预警系统需要快速、准确地探测到导弹发射时产生的紫外信号，为防御系统争取宝贵的反应时间。GaN基紫外探测器凭借其高灵敏度和快速响应特性，能够有效捕捉这些微弱的紫外信号，为导弹预警提供有力支持。在紫外通讯方面，其能够实现高保密、抗干扰的通信，满足军事领域对通信安全性和可靠性的严格要求。在生化分析中，可用于检测生物分子和化学物质的荧光信号，帮助识别生物武器和化学战剂。

在民用领域，GaN基紫外探测器同样发挥着重要作用。在明火探测方面，能够快速检测到火灾初期产生的紫外辐射，为火灾预警提供及时准确的信息，有助于减少火灾造成的损失。在生物医药分析中，可用于生物分子的检测和分析，推动医学研究和诊断技术的发展。在臭氧监测领域，通过对紫外线的吸收和散射特性，准确测量大气中的臭氧浓度，为环境保护和气候变化研究提供数据支持。在海上油监中，可用于检测海面溢油，及时发现海洋污染，保护海洋生态环境。在太阳照度监测方面，能够精确测量太阳辐射中的紫外线强度，为太阳能利用和气象研究提供重要数据。

GaN材料作为第三代半导体材料的代表，具有宽带隙、高电子饱和漂移速度、高热稳定性等优异性能，使其成为制备高性能紫外探测器的理想材料。通过调整材料的配比，GaN基紫外探测器可以调节器件响应的截止波长，从而制备出日盲型紫外探测器，能够有效避免太阳光中紫外线的干扰，提高探测的准确性和可靠性。然而，目前GaN基紫外探测器在实际应用中仍面临一些关键问题，如材料生长过程中的缺陷控制、器件结构的优化设计以及性能的进一步提升等。这些问题限制了GaN基紫外探测器的广泛应用和性能提升。因此，深入研究GaN基紫外探测器的关键问题，对于推动其在军事和民用领域的发展和应用具有重要的现实意义。本研究旨在通过对GaN基紫外探测器材料生长、器件结构和性能优化等方面的研究，解决其面临的关键问题，提高探测器的性能和可靠性，为其实际应用提供理论支持和技术指导。

1.2国内外研究现状

在材料生长方面，国内外研究人员致力于通过各种技术手段来降低材料中的缺陷密度，提高晶体质量。例如，采用插入层技术，通过在衬底上预先沉积插入层，如氮化铝（AlN）或铝镓氮（AlGaN），来缓解衬底与材料间因晶格失配、热失配而产生的应力，进而降低缺陷密度。有研究在四氢碳化硅（4H–SiC）衬底上利用厚度为1.7±0.5nm的超薄AlN或AlGaN插入层获得了GaN材料，其边缘位错密度小于8.90×107cm?2。还有研究对碳化硅（SiC）衬底进行三甲基铝（C3H9Al）预处理后再生长GaN外延薄膜，界面处形成的AlGaN缓冲层有效降低了位错密度，薄膜均方根粗糙度（RMS）低至0.28nm（5μm×5μm），螺位错密度低于6.5×107cm?2。

低温成核层技术也是常用的方法之一，该技术先低温生长成核层，再高温生长功能层，位错被限制在成核层内，从而降低功能层的位错缺陷。有团队报道了在蓝宝石衬底上采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术，先在570℃下生长低温层，随后升温到1080℃生长功能层，使功能层贯穿位错密度可低至2×108cm?2。研究人员还将低温成核层技术与其他技术相结合，进一步提高GaN外延薄膜的质量。

选区生长技术则能直接在限定区域内获得高质量GaN材料，降低了器件制备难度。

在器件结构方面，常见的结构包括金属-半导体-金属（MSM）结构、PIN结构、肖特基结构等。MSM结构具有制备简单的优点，但其光电流通常较小，暗电流较大。为了改善这种情况，研究人员尝试采用不同的电极材料和优化电极结构。有研究采用功函数为4.37ev的Mo材质叉指电极替代传统的Au电极，与GaN活性层形成肖特基接触，且形成的肖特基势垒更小，有利于光生载流子的传输从而增大光电流，在小光功率密度的365nm光源辐照下，光电流比传统结构高出2个数量级。

PIN结构通过在P型和N型半导体之间引入本征层，提高了光生载流子的分离效率，但也存在制备工艺复杂等问题。肖特基结构则利用金属与半导体之间的肖特基势垒来实现光生载流子的分离，具有响应速度快等优点，但也面临着肖特基势垒不稳定等挑战。

在性能优化方面，研究主要集中在提高响应度、降低暗电流、提高响应速度和增强稳定性等方面。通过优化材料生长工艺和器件结构，可以有效提高探测器的响应度和响应速度。有研究通过构造p-n异质结构、肖特基结构等，加速材料内电子-空穴对的分离，大幅度提高光利用率、