半导体物理基础:半导体能带理论_6.能带结构的计算方法.docxVIP

半导体物理基础:半导体能带理论_6.能带结构的计算方法.docx

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6.能带结构的计算方法

6.1概述

在半导体物理中,能带结构的计算是理解材料电子性质的重要手段。能带结构描述了电子在材料中的能量与动量之间的关系,这对于设计和优化半导体器件至关重要。本节将介绍几种常用的能带结构计算方法,包括紧束缚模型(Tight-BindingModel)、Kronig-Penney模型、有效质量近似(EffectiveMassApproximation)和第一性原理计算(First-PrinciplesCalculations)。

6.2紧束缚模型

紧束缚模型是一种近似方法,用于计算晶体中的电子能带结构。该模型假设电子主要受到其最近邻原子的势场影响,忽略远距离的势场。通过求解紧束缚哈密顿量,可以得到电子的能级和波函数。

6.2.1基本假设

局域化波函数:假设每个原子的电子波函数主要局域在其所在的原子附近。

近邻相互作用:考虑电子与最近邻原子之间的相互作用,忽略远距离的相互作用。

周期性势场:晶体的势场是周期性的,可以用Bloch波函数描述电子的状态。

6.2.2紧束缚哈密顿量

紧束缚模型的哈密顿量可以表示为:

H

其中:-?i是第i个原子的能级。-tij是第i个原子和第j个原子之间的跃迁矩阵元。-ai

6.2.3能带的计算

对于一维晶格,假设每个原子只有一种能级?0,最近邻之间的跃迁矩阵元为t

H

通过傅里叶变换,可以将实空间的哈密顿量转换为动量空间的哈密顿量:

H

其中:-k是波矢。-a是晶格常数。-bn

最终,电子的能带可以表示为:

E

6.3Kronig-Penney模型

Kronig-Penney模型是一种用于描述一维周期性势场中电子能带结构的经典模型。该模型通过求解薛定谔方程来计算电子的能级和波函数。

6.3.1周期性势场

假设一维晶体由一系列宽度为a、高度为V0的方势垒组成,势垒之间的间隔为b

V

6.3.2薛定谔方程

在周期性势场中,电子的薛定谔方程可以表示为:

?

通过求解该方程,可以得到电子的能带结构。Kronig-Penney模型的关键是求解Bloch波函数在不同波矢k下的能级Ek

6.3.3传输矩阵法

传输矩阵法是一种常用的求解Kronig-Penney模型的方法。通过对每个势垒的传输矩阵进行乘积,可以得到整个晶体的传输矩阵,并从中提取能带结构。

6.4有效质量近似

有效质量近似是一种简化的方法,用于描述电子在晶体中的运动。该方法通过引入有效质量m*

6.4.1有效质量的定义

电子的有效质量m*

1

其中Ek

6.4.2近似条件

有效质量近似通常在能带的底部或顶部附近适用,此时能带可以近似为抛物线形:

E

6.5第一性原理计算

第一性原理计算(如密度泛函理论DFT)是一种从量子力学基本原理出发,计算材料电子结构的方法。该方法不需要任何经验参数,可以直接计算电子的能带结构。

6.5.1密度泛函理论(DFT)

密度泛函理论是一种计算固体材料电子结构的量子力学方法。DFT的基本思想是通过求解Kohn-Sham方程来计算电子的基态密度和能带结构。

Kohn-Sham方程可以表示为:

?

其中:-ψir是第i个电子的波函数。-Ei是第i个电子的能量。-

6.5.2计算步骤

构建势场:根据晶体结构,构建有效的势场Veff

求解Kohn-Sham方程:通过迭代方法求解Kohn-Sham方程,得到电子的波函数和能级。

计算能带结构:根据得到的波函数和能级,计算电子的能带结构。

6.6代码示例:紧束缚模型的能带结构计算

下面是一个使用Python和NumPy库计算一维紧束缚模型能带结构的代码示例。

importnumpyasnp

importmatplotlib.pyplotasplt

#定义参数

epsilon_0=0#原子能级

t=1#跃迁矩阵元

a=1#晶格常数

k_range=np.linspace(-np.pi/a,np.pi/a,1000)#波矢范围

#计算能带

E_k=epsilon_0+2*t*np.cos(k_range*a)

#绘制能带图

plt.figure(figsize=(8,6))

plt.plot(k_range,E_k,label=E(k),color=blue)

plt.xlabel(k(波矢))

plt.ylabel(E(能量))

plt.title(一维紧束缚模型的能带结构)

plt.legend()

plt.grid(True)

plt.show()

6.7代码示例:Kronig-P

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