半导体物理基础：载流子输运理论_（17）.现代半导体技术中的载流子输运挑战.docxVIP

PAGE1

PAGE1

[[#现代半导体技术中的载流子输运挑战

在现代半导体技术中，载流子输运理论是理解器件性能和优化设计的关键。随着半导体器件尺寸的不断缩小，传统的载流子输运模型已经难以准确描述实际器件的物理行为。本节将深入探讨现代半导体技术中载流子输运面临的挑战，并介绍一些先进的输运模型和技术手段。

1.尺寸效应

随着半导体器件尺寸的减小，量子效应开始显著影响载流子的行为。在纳米尺度下，载流子的运动不再符合经典的漂移-扩散模型，而是受到量子限制效应的强烈影响。这些效应包括量子隧穿、量子限制态和量子尺寸效应等。

1.1量子隧穿

量子隧穿是指载流子在能量低于势垒高度的情况下，仍然有一定的概率穿过势垒。这种现象在纳米尺度器件中尤其显著，例如在隧穿二极管和量子点中。

1.1.1原理

量子隧穿的基本原理可以用薛定谔方程来描述。在势垒区域，波函数满足以下形式的薛定谔方程：

?

其中，?是约化普朗克常数，m是载流子的有效质量，Vx是势垒的势能，E

1.1.2仿真模拟

为了模拟量子隧穿效应，可以使用Python和numpy库来求解薛定谔方程。以下是一个简单的例子，模拟一个量子隧穿势垒。

importnumpyasnp

importmatplotlib.pyplotasplt

#定义物理常数

hbar=1.0545718e-34#约化普朗克常数(J*s)

m=9-31#电子质量(kg)

e=1.602176634e-19#电子电荷(C)

#定义势垒参数

V0=5*e#势垒高度(J)

L=1e-9#势垒宽度(m)

x=np.linspace(-2e-9,2e-9,1000)#空间坐标(m)

V=np.where(np.abs(x)L/2,V0,0)#势垒函数

#定义薛定谔方程的解法

defschrodinger_equation(x,V,E,m,hbar):

k=np.sqrt(2*m*(V-E))/hbar

returnk

#定义能量

E=3*e#载流子能量(J)

#计算波函数

k=schrodinger_equation(x,V,E,m,hbar)

psi=np.exp(-k*x)

#绘制势垒和波函数

plt.figure(figsize=(10,5))

plt.plot(x,V,label=PotentialBarrier)

plt.plot(x,psi,label=Wavefunction)

plt.xlabel(Position(m))

plt.ylabel(Energy(J))

plt.title(QuantumTunnelingSimulation)

plt.legend()

plt.show()

1.2量子限制态

在纳米尺度下，载流子的能级会变得离散，形成量子限制态。这种现象在量子阱、量子线和量子点中尤为明显。量子限制态的能级和波函数可以通过求解薛定谔方程来获得。

1.2.1原理

量子阱、量子线和量子点的能级可以通过求解薛定谔方程来获得。以一维量子阱为例，势能函数为：

V

1.2.2仿真模拟

以下是一个Python代码示例，模拟一维量子阱的能级和波函数。

importnumpyasnp

fromscipy.linalgimporteigh

importmatplotlib.pyplotasplt

#定义物理常数

hbar=1.0545718e-34#约化普朗克常数(J*s)

m=9-31#电子质量(kg)

V0=5*1.602176634e-19#势垒高度(J)

L=1e-9#量子阱宽度(m)

N=1000#空间网格点数

#定义空间坐标

x=np.linspace(0,L,N)

dx=x[1]-x[0]

#定义势能矩阵

V=np.where((x0)(xL),0,V0)

V_matrix=np.diag(V)

#定义动能矩阵

T=-hbar**2/(2*m*dx**2)*(np.diag(np.ones(N-1),-1)+np.diag(np.ones(N-1),1)-2*np.diag(np.ones(N)))

#定义总哈密顿矩阵

H=T+V_matrix

#求解薛定谔方程

E,psi=eigh(H)

#绘制前几个能级和波函数