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二维材料在光电探测器中的量子效率提升

一、引言

光电探测器作为光电子技术的核心器件，在光通信、生物传感、环境监测及红外成像等领域发挥着不可替代的作用。其性能的关键指标——量子效率（QuantumEfficiency,QE），直接决定了器件将光信号转化为电信号的能力，提升量子效率是推动光电探测器向高灵敏度、低噪声、宽响应波段发展的核心目标。传统半导体材料（如硅、砷化镓、碲镉汞等）虽已广泛应用，但其固有局限性逐渐显现：硅基材料在红外波段吸收效率低，III-V族材料制备成本高且与硅基工艺兼容性差，窄带隙材料则面临载流子复合速率快、暗电流大等问题。

近年来，以石墨烯、过渡金属硫族化合物（如二硫化钼MoS?、二硒化钨WSe?）、黑磷等为代表的二维材料，凭借原子级厚度、高载流子迁移率、可调带隙及强量子限域效应等独特优势，成为提升光电探测器量子效率的理想选择。二维材料的引入不仅突破了传统材料的物理限制，更通过与其他材料的协同作用，为量子效率的提升开辟了新的技术路径。本文将围绕二维材料的特性、光电探测机理及量子效率提升策略展开系统论述。

二、二维材料的特性与光电探测基础

（一）二维材料的本征物理特性

二维材料是指由单层或少数原子层构成的晶体材料，其最显著的特征是电子在两个维度上的运动被严格限制，仅能在第三个维度（平面内）自由移动。这种低维结构赋予了二维材料一系列独特的物理特性：

首先是原子级厚度与高比表面积。例如，单层MoS?的厚度仅约0.65纳米，其表面原子占比接近100%，这使得光与材料的相互作用主要发生在表面，极大增强了光吸收效率。相比之下，传统块体材料的光吸收主要依赖体相，表面效应可忽略不计。

其次是可调的带隙范围。石墨烯的零带隙特性使其在宽波段光吸收上具有优势，而MoS?、WSe?等过渡金属硫族化合物的带隙随层数变化显著（单层MoS?带隙约1.8eV，块体则降至1.2eV），通过层数调控可实现从可见光到近红外波段的响应覆盖。黑磷的各向异性带隙（0.3-2.0eV）则进一步拓展了中红外探测的可能性。

此外，二维材料的高载流子迁移率（石墨烯室温迁移率可达10?cm2/V·s，MoS?约为200cm2/V·s）和低介电常数（约为块体材料的1/3-1/2），使得光生载流子能够快速分离并传输至电极，有效减少了复合损耗。

（二）光电探测器量子效率的影响因素

量子效率（QE）定义为光生电子-空穴对数目与入射光子数的比值，其数学表达式可简化为：QE=光吸收效率×载流子产生效率×载流子收集效率。

光吸收效率取决于材料对特定波长光的吸收系数及光程长度。由于二维材料厚度极薄，本征光吸收效率通常较低（如单层MoS?对可见光的吸收约为10%），需通过结构设计或异质结增强光捕获。

载流子产生效率与材料的激子束缚能密切相关。传统块体半导体中，激子束缚能仅为几毫电子伏特，光生载流子可自发分离；而二维材料因量子限域效应，激子束缚能高达数百毫电子伏特（如单层MoS?约为0.5eV），需额外能量（如内建电场、热激发）促进激子解离，否则大部分激子会通过辐射或非辐射复合损耗。

载流子收集效率受限于载流子迁移率、器件结构及电极接触特性。若载流子迁移率低或电极与材料间存在高肖特基势垒，光生载流子可能在传输过程中复合，无法被有效收集。

（三）二维材料在光电探测中的优势

与传统材料相比，二维材料在提升量子效率方面具有三方面核心优势：其一，原子级厚度允许与其他材料（如金属、氧化物、有机半导体）形成范德华异质结，通过界面内建电场促进激子解离，弥补激子束缚能高的缺陷；其二，高比表面积便于表面修饰（如等离子体纳米颗粒负载、分子掺杂），可显著增强特定波段的光吸收；其三，带隙可调性使其能够适配不同应用场景（如可见光成像、红外遥感），拓宽了器件的响应范围。这些特性为量子效率的多维度提升提供了丰富的调控手段。

三、二维材料量子效率提升的核心策略

（一）带隙工程：匹配光吸收与载流子分离

带隙工程是通过物理或化学手段调控二维材料的带隙宽度与位置，使其既能高效吸收目标波段的光，又能形成有利于载流子分离的能带结构。

物理调控主要包括应变工程和电场调控。例如，对单层MoS?施加0-2%的拉伸应变，其带隙可从1.8eV线性降至1.5eV，吸收边红移至近红外区域；同时，应变会打破材料的对称性，诱导出内建电场，加速激子解离。电场调控则通过门电压改变二维材料的费米能级，实现带隙的动态调节（如双栅极结构可将黑磷的带隙从0.3eV调至1.0eV），这对于需要多波段切换的探测器至关重要。

化学调控以元素掺杂和缺陷引入为主。通过硫族元素替换（如MoS?中的S被Se部分取代形成MoS???Se?），可连续调节带隙宽度，同时引入的杂质能级可作为激子解离的中间态，降低解离所需能量。缺陷调控（如