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石墨烯的缺陷与掺杂效应仿真
在上一节中,我们讨论了石墨烯的基本性质及其在半导体材料中的应用。本节将深入探讨石墨烯中的缺陷和掺杂效应,并通过仿真软件进行具体的模拟分析。石墨烯的缺陷和掺杂可以显著影响其电子特性,这些特性对于开发高效的半导体器件至关重要。我们将使用常用的材料仿真软件,如第一性原理计算软件VASP和分子动力学软件LAMMPS,来模拟和分析这些效应。
1.石墨烯缺陷的类型及其影响
1.1点缺陷
点缺陷是指在石墨烯晶格中单个原子的位置被其他原子或空位取代。常见的点缺陷包括:
空位:晶格中的碳原子缺失。
替位:晶格中的碳原子被其他原子(如硅、硼等
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