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半导体器件可靠性分析：辐射效应分析_（7）.辐射加固技术.docx

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    辐射加固技术

    在上一节中，我们讨论了辐射对半导体器件的影响，包括总剂量效应、单粒子效应和位移损伤等。为了应对这些辐射效应，辐射加固技术变得尤为重要。本节将详细介绍几种常见的辐射加固技术，包括设计加固、材料加固、工艺加固和测试加固等方面的内容。

    1.设计加固

    设计加固是通过改变半导体器件的设计来提高其抗辐射能力的一种方法。设计加固主要从以下几个方面入手：

    1.1电路设计加固

    电路设计加固是指通过改变电路结构和参数来提高器件的抗辐射性能。常见的方法包括冗余设计、错误检测与校正（EDAC）和时序裕度优化等。

    1.1.1冗余设计

    冗余设计是一种通过增加电路

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