半导体物理基础：半导体器件模型_（2）.半导体材料特性：导电性、光吸收与发光.docxVIP

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半导体材料特性：导电性、光吸收与发光

导电性

1.1导带和价带

在半导体材料中，电子的能级并不连续，而是分布在一系列能带中。其中，最重要的两个能带是导带和价带。

价带：电子在这个能带中时，材料表现为绝缘体或半导体，电子的能量较低，通常占据满带。

导带：电子在这个能带中时，材料表现为导体，电子的能量较高，可以自由移动。

这两个能带之间的能量差称为带隙（BandGap），用Eg

1.2载流子浓度

半导体中的载流子包括自由电子和空穴。自由电子是从价带跃迁到导带的电子，而空穴是价带中电子跃迁后留下的空位。载流子浓度（即自由电子和空穴的浓度）决定了半导体的导电能力。

本征半导体：在纯净的半导体材料中，由于热激发作用，自由电子和空穴的浓度相等，称为本征载流子浓度，用ni

掺杂半导体：通过掺杂（引入杂质原子）可以显著改变载流子浓度。掺杂可以分为n型掺杂和p型掺杂：

n型掺杂：引入施主杂质（如磷、砷），这些杂质原子的价电子容易跃迁到导带，形成自由电子，使材料主要以电子导电。

p型掺杂：引入受主杂质（如硼、铝），这些杂质原子的价带空位容易被捕获，形成空穴，使材料主要以空穴导电。

1.3导电机制

半导体的导电机制主要有两种：电子导电和空穴导电。

电子导电：自由电子在电场的作用下移动，形成电流。

空穴导电：价带中的电子移动填补空穴，相当于空穴移动，形成电流。

这两种导电机制可以通过以下公式描述：

J

J

其中：-Jn和Jp分别是电子和空穴的电流密度。-q是电子的电荷量。-n和p分别是自由电子和空穴的浓度。-μn和μp分别是电子和空穴的迁移率。-

1.4温度对导电性的影响

温度对半导体的导电性有显著影响。随着温度的升高，热激发作用增强，更多的电子从价带跃迁到导带，载流子浓度增加，导电性增强。温度对载流子浓度的影响可以用以下公式描述：

n

p

其中：-ni是本征载流子浓度。-EF是费米能级。-Ei是本征能级。-kB是玻尔兹曼常数。-

1.5电阻率

半导体的电阻率ρ可以通过以下公式计算：

ρ

其中：-n和p是自由电子和空穴的浓度。-μn和μp

1.6举例：计算n型掺杂硅的电阻率

假设我们有一个n型掺杂的硅样品，掺杂浓度为ND=1016?cm?3，电子迁移率为

#导入常量

importscipy.constantsasconst

#定义参数

N_D=10**16#施主杂质浓度(cm^-3)

mu_n=1350#电子迁移率(cm^2/V*s)

n_i=1.5*10**10#本征载流子浓度(cm^-3)

q=const.e#电子电荷量(C)

T=300#室温(K)

#计算自由电子浓度

n=N_D+n_i

#计算电阻率

rho=1/(q*(n*mu_n+n_i*0))#空穴浓度可以忽略不计

print(f电阻率:{rho:.2e}Ω*cm)

1.7代码解释

导入常量：使用scipy.constants模块导入电子电荷量const.e。

定义参数：给出施主杂质浓度ND、电子迁移率μn、本征载流子浓度ni和室温

计算自由电子浓度：自由电子浓度n等于施主杂质浓度ND加上本征载流子浓度n

计算电阻率：使用公式ρ=

光吸收与发光

2.1光吸收

半导体材料可以吸收光子能量，使电子从价带跃迁到导带，从而产生自由电子和空穴。光吸收过程可以用以下公式描述：

α

其中：-α是吸收系数。-A是材料常数。-E是光子能量。-Eg是带隙能量。-h是普朗克常数。-ν

2.2光吸收与载流子浓度

光吸收产生的自由电子和空穴浓度可以用以下公式描述：

Δ

其中：-Δn和Δp是光吸收产生的自由电子和空穴浓度。-I是入射光强度。-q是电子电荷量。-ν

2.3发光

半导体材料在特定条件下也可以发光。发光过程通常是电子从导带跃迁回价带，释放出能量以光子的形式发射出去。发光强度与载流子浓度和复合机制有关。常见的复合机制包括：

直接复合：电子直接跃迁回价带，释放光子。

间接复合：电子通过缺陷或杂质能级间接跃迁回价带，释放光子。

2.4发光效率

发光效率η可以通过以下公式计算：

η

其中：-Pout是输出的光功率。-Pin

2.5举例：计算半导体材料的发光效率

假设我们有一个半导体材料，输入电功率为Pin=100?

#定义参数

P_in=100e-3#输入电功率(W)

P_out=50e-3#输出光功率(