半导体物理基础：载流子输运理论_（10）.连续性方程与泊松方程.docxVIP

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连续性方程与泊松方程

在半导体物理中，连续性方程和泊松方程是描述半导体内部载流子（电子和空穴）运动和电势分布的基本方程。这两个方程在分析和设计半导体器件中起着至关重要的作用。本节将详细介绍这两个方程的原理和应用，并通过具体的仿真模拟例子来加深理解。

连续性方程

连续性方程描述了半导体中载流子的守恒定律，即载流子的产生、复合和输运之间的关系。对于电子和空穴，分别有以下的连续性方程：

电子连续性方程

?

其中：-n是电子浓度-t是时间-Jn是电子电流密度-Gn是电子产生率-R

空穴连续性方程

?

其中：-p是空穴浓度-Jp是空穴电流密度-Gp是空穴产生率-R

电流密度

电子和空穴的电流密度可以表示为：

J

J

其中：-q是电子电荷-μn和μp分别是电子和空穴的迁移率-Dn和Dp分别是电子和空穴的扩散系数-

产生率和复合率

产生率G和复合率R可以由多种机制引起，例如光生载流子、俄歇复合、直接复合等。常见的复合率模型包括：

R

R

其中：-ni是本征载流子浓度-τn和τ

泊松方程

泊松方程描述了半导体中电势分布与电荷分布之间的关系。在半导体中，电势V与电荷密度ρ之间的关系可以通过泊松方程表示：

?

其中：-?2是拉普拉斯算子-ρ是电荷密度-?

电荷密度

电荷密度ρ由以下各项组成：

ρ

其中：-ND+是施主杂质的电离浓度-N

边界条件

在求解泊松方程时，需要考虑边界条件。常见的边界条件包括：-目标电势：在半导体的某些边界上，电势是已知的。-目标电荷：在某些边界上，电荷密度是已知的。-绝缘边界：电场的法向分量为零。

仿真模拟

为了更好地理解连续性方程和泊松方程的应用，我们可以通过一个简单的仿真模型来计算半导体中载流子的浓度分布和电势分布。这里我们将使用Python和FEniCS库来实现这一模型。

安装FEniCS

首先，确保安装了FEniCS库。可以通过以下命令安装：

sudoapt-getinstallsoftware-properties-common

sudoadd-apt-repositoryppa:fenics/project

sudoapt-getupdate

sudoapt-getinstallfenics

代码实现

以下是一个简单的FEniCS代码示例，用于求解二维半导体中的泊松方程和连续性方程。

importfenicsasfe

importnumpyasnp

#定义网格和函数空间

mesh=fe.UnitSquareMesh(32,32)

V=fe.FunctionSpace(mesh,P,1)

#定义边界条件

defboundary(x,on_boundary):

returnon_boundary

bc=fe.DirichletBC(V,fe.Constant(0),boundary)

#定义泊松方程

V=fe.TrialFunction(V)

v=fe.TestFunction(V)

f=fe.Constant(1)#电荷密度分布（简化模型）

a=fe.dot(fe.grad(V),fe.grad(v))*fe.dx

L=f*v*fe.dx

#求解泊松方程

V=fe.Function(V)

fe.solve(a==L,V,bc)

#定义连续性方程

n=fe.TrialFunction(V)

u=fe.TestFunction(V)

g=fe.Constant(0)#产生率（简化模型）

r=fe.Constant(0)#复合率（简化模型）

D_n=fe.Constant(1e-3)#电子扩散系数

mu_n=fe.Constant(1e-3)#电子迁移率

E=-fe.grad(V)#电场强度

#电子连续性方程

a_n=fe.dot(fe.grad(n),fe.grad(u))*fe.dx+(g-r)*u*fe.dx

L_n=D_n*fe.dot(E,fe.grad(n))*u*fe.dx

#求解电子连续性方程

n=fe.Function(V)

fe.solve(a_n==L_n,n,bc)

#输出结果

x=np.linspace(0,1,100)

y=np.linspace(0,1,100)

X,Y=np.meshgrid(x,y)

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