1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 电子工程/通信技术
  5. 电子设计

半导体器件可靠性分析：电迁移分析_（5）.电迁移的建模与仿真.docx

半导体器件可靠性分析：电迁移分析_（5）.电迁移的建模与仿真.docx

    1. 1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
    2. 2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
    3. 3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
    查看更多

    PAGE1

    PAGE1

    电迁移的建模与仿真

    在半导体器件中，电迁移（Electromigration,EM）是指在高电流密度下，电子流通过金属互连层时对金属原子产生的推动力，导致金属原子沿电流方向迁移的现象。这种迁移会逐渐改变金属导线的微观结构，形成空洞、裂纹或hillocks，最终可能导致器件的失效。因此，电迁移分析是半导体器件可靠性分析中的一个重要环节。

    1.电迁移的基本概念

    1.1电迁移的物理机制

    电迁移的物理机制主要包括以下几个方面：

    电子风力（ElectronWindForce,EWF）：电子在通过金属导线时，其动量传递给金属原子，形成一种推动力，使金属

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    找工业软件教程找老陈 + 关注
    实名认证
    服务提供商

    寻找教程；翻译教程；题库提供；教程发布；计算机技术答疑；行业分析报告提供；

    咨询作者（419人已咨询） 已休息

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >